据国外媒体报道,芯片巨头英特尔、东芝和三星电子将携手开发10纳米(10nm)制程技术,计划在2016年之前将半导体的线路宽度缩小到接近10纳米。
分别作为全球第一大和第二大NAND闪存芯片厂商,三星电子和东芝将与世界最大的芯片巨头厂商英特尔建立联盟,并邀请半导体材料和相关领域的大约10家企业加入此项技术合作。
据悉,日本经济贸易与产业部门可能将投入50亿日元(约6121万美元)研发资金,占这项研发计划大约100亿元启动资金的一半,其它的资金则由同盟的合作者提供。
东芝和三星电子计划利用此技术制造10纳米级的Nand闪存芯片及其它芯片,而Intel则将此技术应用于开发更快的微型处理器。
消息来源:[Reuter]
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