美光3DNAND芯片横截面图

日前，美光公司宣布开始量产其32层(32L)3DNAND闪存，包含该组件的首批商用下游产品之一是Crucial750GBSATA2.5寸固态硬盘(SSD)。如图1所示，这款产品的连续读取/写入速度分别高达每秒530MB与每秒510MB;其功耗较一般硬盘驱动器(HDD)改善了90倍，据称也更加耐用。

CrucialSSD的售价为200美元，这使其成为笔记本电脑应用最具吸引力的选项，而且我们发现有越来越多的计算机设备开始利用SSD取代传统HDD。HDD也许将逐渐被市场所淘汰，不过必须承认的是各家相关厂商仍致力于使其创新，而且HDD的成本仍较SSD更低廉。因此，我们预计在短期之内，HDD仍将在市场上占据主导地位。

图1：美光CrucialCT750MX300SSD1750GBSSD

图2所示为Crucial750GBSSD的正面与背面电路板拆解图，可以看到其中包含8个美光NAND闪存封装。这一数量相当于TechInsights在三星(Samsung)T32TBSSD中发现4个48层(48L)3DNAND封装数量的两倍。因此，从封装数的角度来看，三星在每封装中的内存容量仍然占据优势。但从芯片层来看是否同样领先于美光

图2：采用美光3DNAND的CrucialSSD产品正面与背面电路板图

三星方面已经能够在每个NAND封装中加进16块芯片了，如图3所示。这意味着每块面积为99.8平方毫米的芯片可提供32GB储存容量，或者换算为每平方毫米约320MB。

Crucial750GBSSD中包含8块美光的封装，其中单一封装可容纳2块芯片，面积为165平方毫米。这意味着该内存的储存密度为284MB/mm2，低于三星的320MB/mm2。不过三星的最大优势在于其48层结构以及20纳米(nm)半位线间距，相形之下，美光的40nm半位线间距更为松散。

也许我们应该用三星在此之前推出的32层(32L)V-NAND进行比较，该系列产品发布于2014年，同样采用20nm半位线间距制造。同时，我们也发现，美光的284MB/mm2位密度较优于三星在32LV-NAND中实现的127MB/mm2位密度。

图3：三星K9UGB8S7M48LV-NAND闪存

图4显示三星48LV-NAND芯片脱层后扩散的情形，可看到图中两个大型NAND宏将芯片一分为二。页面缓冲与外围电路就位于NAND数组宏下方。该数组宏以垂直NAND串所使用的源极选择晶体管以及源极线触点加以填充。

图4：三星48LV-NAND的扩散级芯片图

图5显示美光的扩散级芯片图，其布局与三星的芯片差别很大，其中64个宏涵盖大部份数组。我们尚未对其进行分析，但我们认为它可能容纳页面缓冲器、行译码器、字符线开关以及可能存在的‘胶合’逻辑。这是一种迥异于三星芯片的设计策略，而且美光还宣称将主动电路放置在内存器数组下方，有助于提高了位密度，同时也带来更低的芯片制造成本。

图5：美光32L3DNAND扩散级芯片图

图6来自TechInsights拆解分析报告的美光3DNAND芯片横截面图。其中，垂直NAND串由38个闸极层构成，其中32个用于NAND储存单元，其余6个则可能作为虚拟以及选择闸极。该NAND数组是2或3层堆栈的金属互连与晶体管。其中金属层1(即M1)看起来像是由钨制成的，这意味着它可能连接到该NAND数组串的来源选择闸极。而金属层2(M2)似乎用于绕线。但实际的功能还有待我们对该组件进行电路级分析后才能确定。

图6：美光32L3DNAND数组横截面

NAND单元结构可在图7中看得更清楚，而且我们已经初步确定了其中的一些分层，包括在整套NAND堆栈中以垂直方向执行的多晶硅环。此多晶硅环构成了垂直通道，周围并围绕着浮动闸与控制闸。其中浮动闸如图中的小圆点，构成中央多晶硅通道周围的连续环状结构。而控制闸与浮动闸之间则由多晶硅层间电介质加以隔离。

图7：美光NAND单元的横截面图

三星于2014年推出其32LV-NAND垂直NAND闪存，并于2016年紧接着推出48LV-NAND产品。美光则是第二家实现3DNAND商用化的厂商，并采取一种创新的途径，将主动电路放置在NAND数组之下，从而缩小了芯片面积。美光还利用尺寸更大的制程节点(40nm半位线间距)制造该芯片，这应该能够为其带来较三星V-NAND产品更低的制造成本。

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