DRAM的读取速度快，但是断电后里面的数据将全部丢失；NAND闪存可以在断电后保存数据，但是读写速度跟DRAM相比就完全不是对手了。那么，有没有可以结合两者优点于一身的存储芯片呢？答案是有的，那就是ReRAM。
简单来说，ReRAM就是利用忆阻器原理来打造的电阻式内存，其既拥有DRAM水平的读写速度，又可以像NAND闪存那样在断电后也能保存数据，可以说是集两者有点于一身的理想产品。
现在松下宣布，他们将在2013年开始量产ReRAM产品。首发的ReRAM将使用老旧的0.18μm制程CMOS工艺打造，容量为128KB左右，因此它们只能在简单的设备中使用，例如火警报警系统等需要高响应速度的产品，详细信息可浏览松下官方页面。
目前松下已经开始了相关样品的评估工作，当然他们并不满足于现在研发的小容量ReRAM，而是希望能将ReRAM的容量提升到NAND闪存的水平，并引入到智能手机等移动设备中，全面取代NAND闪存和DRAM内存。届时，这些移动设备将拥有超高的读写速度，开机、关机、启动程序等都是一瞬间的事情。
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