ARM：14nm FinFET工艺高能低耗，仍面临挑战

ARM表示现时三星正在研发的14纳米FinFET技术将能提升处理器性能和降低能耗，不过这种技术仍存在一些要解决的问题。

ARM的高管介绍，他们的合作伙伴通过DVFS（动态电压和频率定标）技术去设计SoC，提升了其性能并降低负载。14纳米FinFET技术更低的工作电压扩大了在低档和过载条件下的电压范围。ARMBig.Little架构可以在中低程度的工作负载下令高端产品性能变得更高，更有效率。

X-bitlabs认为，面对英特尔和AMD这样的对手，该技术能带来更大的竞争力，不过要设计这种复杂的芯片，设计师还要克服很多困难。

现今为了制造出高性能，低能耗的SoC，设计师常常通过EDA去设计产品，例如门控时钟、电源门控、Multi-Vt、Multi-VDD，满足DVFS和AVS的要求。在14纳米FinFET上需要确保使用这样的技术和新理念能提高产品的功率，设计师还要考虑到市场的需求和时效性这些因素。

今年早些时候ARM承诺通过高级生产技术可以把处理器的主核心提升到16个或是32个，达到更高性能和在同一时间内运行更多的APP。更小的核心尺寸、新的晶体管构筑技术、材料、刻蚀技术都会继续推动该领域的发展，