多晶硅清洗装置的制作方法

本发明涉及多晶硅制备领域，具体涉及一种多晶硅清洗装置。

背景技术：

区熔级多晶硅作为电子级多晶硅的高端产品，随着多晶硅的产品质量提升，其后加工处理也要求更加严格，其中电子级多晶硅清洗是电子级多晶硅后续加工处理必不可少的生产环节，主要目的就是将多晶硅在后处理加工过程中以及硅棒表面上存在的沾污杂质给去除，确保优质的产品进入下游工序使用。然而目前对于多晶硅的清洗主要采用人工清洗和自动清洗两种。

相关技术中，人工清洗是一种初级的硅料清洗方式，在盛装有清洗液的酸槽以及纯水槽内操作人员根据清洗硅料的多少注入适量的清洗介质，然后将待洗硅料装入清洗花篮内，人为观察清洗效果确定清洗时间。这种操作有一定的灵活性，但是存在一定的安全隐患，而且硅料在空气中暴露时间长，容易产生氧化物等影响多晶硅纯度的物质。

自动清洗一般是组装清洗液槽在一个固定框架内，然后在清洗液槽上方设置机械手，通过机械手替代人工提拉硅料花篮在不同清洗液槽内清洗，通过清洗程序的设定，控制不同清洗液里的清洗时间，实现自动清洗过程。该操作方法是人工一次上料后基本实现自动化操作，人力劳动强度低，安全性较高，目前存在的主要问题就是在自动清洗过程中，机械手的运动节拍使得硅料在空气中暴露时间过长，容易在硅料表层形成一种氧化膜，影响产品的质量，有时候硅料的形状和大小影响清洗质量。

随着对硅料需求的增加，不同品质和不同规格的硅料或者硅棒越来越多的被下游客户使用，尤其是国产化进程日益成熟，高端多晶硅产品已完成生产技术难点的攻克，产品内在质量能够达到区熔级多晶硅产品的质量要求，但是在后续的加工处理过程存在一些问题，使得下游工序在使用过程稳定性不高，因此后续加工处理也一直是亟需优化的。目前，在区熔级多晶硅的下游客户反馈中，存在硅棒表面发彩，废酸残留等异常现象，影响下游客户的使用。

技术实现要素：

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的实施例提出一种多晶硅清洗装置。

根据本发明实施例的多晶硅清洗装置包括：

清洗间，所述清洗间的进口处设有用于形成第一风淋防护门的第一喷气口，所述清洗间内设有清洗槽，所述清洗间具有惰性气体进口和废气出口，

干燥间，所述清洗间的出口与所述干燥间的进口连通，所述干燥间的出口设有用于形成第二风淋防护门的第二喷气口，所述干燥间内设有干燥装置；和

移动装置，所述移动装置包括第一机械臂和第二机械臂，所述第一机械臂可移动地设在所述清洗间内，所述第二机械臂可移动地设在所述干燥间内。

因此，根据本发明实施例的多晶硅清洗装置具有降低人工劳动强度、便于多晶硅的清洗和包装，以及通过高密闭性从而防止多晶硅受到污染的优点。

在一些实施例中，所述清洗间包括第一清洗段和第二清洗段，所述第二清洗段设在所述第一清洗段和所述干燥间之间，所述清洗槽包括用于容纳碱性清洗液的第一清洗槽和用于容纳高纯水的第二清洗槽，所述第一清洗槽设在所述第一清洗段内，所述第二清洗槽设在所述第二清洗段内，所述废气出口包括第一废气出口和第二废气出口，所述第一废气出口与所述第一清洗槽配合，所述第二废气出口与所述第二清洗槽配合。

在一些实施例中，所述清洗间还包括第三清洗段和第四清洗段，所述第三清洗段设在所述第二清洗段和所述干燥间之间，所述第四清洗段设在所述第三清洗段和所述干燥间之间，所述清洗槽包括用于容纳混酸溶液的第三清洗槽和用于容纳高纯水的第四清洗槽，所述第三清洗槽设在所述第三清洗段内，所述第四清洗槽设在所述第四清洗段内，所述废气出口包括第三废气出口和第四废气出口，所述第三废气出口与所述第三清洗槽配合，所述第四废气出口与所述第四清洗槽配合。

在一些实施例中，所述多晶硅清洗装置进一步包括第一进料泵、第二进料泵、第三进料泵和第四进料泵，所述第一进料泵的出口与所述第一清洗槽连通，所述第一清洗槽内设有第一鼓泡器，所述第二进料泵的出口与所述第二清洗槽连通，所述第二清洗槽内设有第二鼓泡器，所述第三进料泵的出口与所述第三清洗槽连通，所述第三清洗槽内设有第三鼓泡器和超声发生器，所述第四进料泵的出口与所述第四清洗槽连通，所述第四清洗槽内设有第四鼓泡器。

根据本发明实施例的多晶硅清洗装置还包括：

第一过渡段，所述第一过渡段设在所述第一清洗段和所述第二清洗段之间，所述第一过渡段内设有第一惰性气体喷嘴，所述第一过渡段内的底部设有第一集液盘；

第二过渡段，所述第二过渡段设在所述第二清洗段和所述第三清洗段之间，所述第二过渡段内设有第二惰性气体喷嘴；

第三过渡段，所述第三过渡段设在所述第三清洗段和所述第四清洗段之间，所述第三过渡段内设有第三惰性气体喷嘴，所述第三过渡段内的底部设有第二集液盘；和

第四过渡段，所述第四过渡段设在所述第四清洗段和所述干燥间之间，所述第四过渡段内设有第四惰性气体喷嘴。

在一些实施例中，所述第一机械臂包括：

第一子机械臂，所述第一子机械臂可移动地设在所述第一清洗段内；

第二子机械臂，所述第二子机械臂可移动地设在所述第二清洗段内；

第三子机械臂，所述第三子机械臂可移动地设在所述第三清洗段内；

第四子机械臂，所述第四子机械臂可移动地设在所述第四清洗段内。

根据本发明实施例的多晶硅清洗装置还包括：

上料平台，所述上料平台邻近所述第一清洗间，所述上料平台具有上料台面；和

下料平台，所述下料平台邻近所述干燥间，所述下料平台具有下料台面。

根据本发明实施例的多晶硅清洗装置还包括：

冷却器和第一集液槽，所述冷却器设在所述上料平台内，所述第一集液槽与所述第一清洗槽相连，所述冷却器的进口通过泵体与所述第一集液槽的出口相连，所述冷却器的出口与所述第一清洗槽的进口相连；

加热器和第二集液槽，所述加热器设在所述下料平台内，所述第二集液槽与所述第四清洗槽相连，所述加热器的进口通过泵体与所述第二集液槽的出口相连，所述加热器的出口与所述第四清洗槽的进口相连。

根据本发明实施例的多晶硅清洗装置还包括抽真空装置，所述抽真空装置与所述干燥装置配合。

在一些实施例中，所述第一鼓泡器、所述第二鼓泡器、所述第三鼓泡器、所述第四鼓泡器、所述第一惰性气体喷嘴、所述第二惰性气体喷嘴、所述第三惰性气体喷嘴和所述第四惰性气体喷嘴的至少一个的出气口构成所述惰性气体进口。

根据本发明实施例的多晶硅清洗装置还包括供酸供碱柜，所述供酸供碱柜具有第一供液口、第三供液口、第一收液口和第三收液口，所述第一供液口与所述第一进料泵的进口连通，所述第一清洗槽与所述第一收液口连通，所述第三供液口与所述第三进料泵的进口连通，所述第三清洗槽与所述第三收液口连通。

附图说明

图1是根据本发明实施例的多晶硅清洗装置侧视图的结构示意图。

图2是根据本发明实施例的多晶硅清洗装置主视图的结构示意图。

图3是根据本发明实施例的多晶硅清洗装置俯视图的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

下面参考附图描述根据本发明实施例的多晶硅清洗装置1000。如图1至图3所示，根据本发明实施例的多晶硅清洗装置1000包括清洗间100、干燥间200和移动装置。

清洗间100的进口处设有用于形成第一风淋防护门的第一喷气口101，第一喷气口101喷出惰性气体形成第一风淋防护门。第一风淋防护门用于封闭清洗间100的进口，以便隔绝外界空气，防止外界空气从清洗间100的进口进入清洗间100内，从而防止外界空气污染多晶硅。

清洗间100内设有清洗槽，清洗槽可用于清洗多晶硅表面的杂质和氧化膜。清洗间100具有惰性气体进口和废气出口，惰性气体从惰性气体进口进入清洗间内可置换清洗间内的空气，防止清洗间内的空气污染多晶硅，被置换的空气和在清洗过程中产生的废气可从废气出口排出清洗间100。

清洗间100的出口与干燥间200的进口连通，干燥间200内设有干燥装置。以便在清洗间100内清洗完成多晶硅后，便于将多晶硅干燥处理。干燥的多晶硅便于包装处理，即多晶硅在腐蚀清洗(去除氧化膜和杂质)后立即烘干可直接进入包装工序，防止多晶硅再次受到污染。

干燥间200的出口设有用于形成第二风淋防护门的第二喷气口201，第二喷气口201喷出惰性气体形成第二风淋防护门。第二风淋防护门用于封闭干燥间200的出口，以便隔绝外界空气，防止外界空气从干燥间200的出口进入干燥间200内，从而防止外界空气污染多晶硅。

移动装置包括第一机械臂301和第二机械臂302，第一机械臂301可移动地设在清洗间100内，第一机械臂301用于配合多晶硅在清洗间100内的清洗工作。例如，第一机械臂301可将位于清洗间100外的多晶硅(例如多晶硅棒或多晶硅片)移动并穿过第一风淋防护门后送至清洗槽内进行清洗，在清洗后将多晶硅移出清洗槽。第二机械臂302可移动地设在干燥间200内，第二机械臂302用于配合多晶硅在干燥间200内的烘干工作。例如，第二机械臂302将清洗过后的多晶硅从清洗间100内移动到干燥间200内，以便干燥装置对清洗过后的多晶硅进行烘干。

因此，根据本发明实施例的多晶硅清洗装置1000具有降低人工劳动强度、便于多晶硅的清洗和包装，以及通过高密闭性从而防止多晶硅受到污染的优点。

如图1所示，在一些实施例中，清洗间100包括第一清洗段110和第二清洗段120。第二清洗段120设在第一清洗段110和干燥间200之间，也就是说，多晶硅在第一清洗段110内清洗后进入第二清洗段120内进行清洗。

清洗槽包括用于容纳碱性清洗液的第一清洗槽和用于容纳高纯水的第二清洗槽。第一清洗槽设在第一清洗段110内，第二清洗槽设在第二清洗段120内。因此，多晶硅在第一清洗槽内清洗后进入第二清洗槽内进行清洗。第一清洗槽内的碱性清洗液可清除在机加工过程中粘附在多晶硅表面的酸性污染物。高纯水不会污染多晶硅，因此，第二清洗槽内的高纯水可去除多晶硅表面的碱性清洗液且不会污染多晶硅。

废气出口包括第一废气出口102和第二废气出口103。第一废气出口102与第一清洗槽配合，多晶硅在第一清洗槽内产生的废气可从第一废气出口102排出去。第二废气出口103与第二清洗槽配合，多晶硅在第二清洗槽内产生的废气可从第二废气出口103排出去。

如图1所示，在一些实施例中，清洗间100还包括第三清洗段130和第四清洗段140。第三清洗段130设在第二清洗段120和干燥间200之间，第四清洗段140设在第三清洗段130和干燥间200之间。也就是说，多晶硅在第二清洗段120内清洗后进入第三清洗段130内进行清洗，多晶硅在第三清洗段130内清洗后进入第四清洗段140内进行清洗。

清洗槽包括用于容纳混酸溶液的第三清洗槽和用于容纳高纯水的第四清洗槽。第三清洗槽设在第三清洗段130内，第四清洗槽设在第四清洗段140内。因此，多晶硅在第三清洗槽内清洗后进第四清洗槽内进行清洗。第三清洗槽内的混酸溶液可清除多晶硅的表层氧化物以及少量异物杂质，第四清洗槽的高纯水可去除多晶硅表面的混酸溶液且不会污染多晶硅。

第二清洗槽和第四清洗槽内的高纯水为25℃时电导率小于0.1μs/cm和残余含盐量小于0.3mg/l、并去除了非电介质的微量细菌、微生物、微粒等杂质的水，

废气出口包括第三废气出口104和第四废气出口105，第三废气出口104与第三清洗槽配合，多晶硅在第三清洗槽内产生的废气可从第三废气出口104排出去。第四废气出口105与第四清洗槽配合，多晶硅在第四清洗槽内产生的废气可从第四废气出口105排出去。

在一些实施例中，多晶硅清洗装置1000进一步包括第一进料泵、第二进料泵、第三进料泵和第四进料泵。

第一进料泵的出口与第一清洗槽连通，以便通过第一进料泵向第一清洗槽内输送碱性清洗液。第一清洗槽内设有第一鼓泡器，第一鼓泡器和第一进料泵与第一清洗槽配合，以便在第一清洗槽内清洗多晶硅时具有浸泡、鼓泡和溢流动作，使得多晶硅全方位的与碱性清洗液接触，从而有效地去除多晶硅表面粘附的酸性污染物。

第二进料泵的出口与第二清洗槽连通，以便通过第二进料泵向第二清洗槽内输送高纯水。第二清洗槽内设有第二鼓泡器，第二鼓泡器和第二进料泵与第二清洗槽配合，以便在第二清洗槽内清洗多晶硅时具有浸泡、鼓泡和溢流动作，使得多晶硅全方位的与高纯水接触，从而有效地去除多晶硅表面的碱性清洗液，以便进行下一清洗步骤。

第三进料泵的出口与第三清洗槽连通，以便通过第三进料泵向第三清洗槽内输送混酸溶液。第三清洗槽内设有第三鼓泡器和超声发生器，第三进料泵、第三鼓泡器和超声发生器与第三清洗槽配合，以便在第三清洗槽内清洗多晶硅时具有浸泡、鼓泡、超声和溢流动作，使得多晶硅全方位的与混酸溶液充分接触，从而有效地去除多晶硅的表层氧化物以及少量异物杂质。

第四进料泵的出口与第四清洗槽连通，以便通过第四进料泵向第四清洗槽内输送高纯水。第四清洗槽内设有第四鼓泡器，第四鼓泡器和第四进料泵与第四清洗槽配合，以便在第四清洗槽内清洗多晶硅时具有浸泡、鼓泡和溢流动作，使得多晶硅全方位地与高纯水接触，从而有效地去除多晶硅表面的混酸，以便进行下一步骤。

如图1和图3所示，在一些实施例中，根据本发明实施例的多晶硅清洗装置1000还包括第一过渡段150、第二过渡段160、第三过渡段170和第四过渡段180。

第一过渡段150设在第一清洗段110和第二清洗段120之间，第一过渡段150内设有第一惰性气体喷嘴106，第一过渡段150内的底部设有第一集液盘。第一惰性气体喷嘴106可吹扫完成第一清洗段110内清洗的多晶硅，以便初步吹掉多晶硅表面的碱性清洗液。第一集液盘可收集吹扫下来的碱性清洗液，防止碱性清洗液直接流出污染环境。

第二过渡段160设在第二清洗段120和第三清洗段130之间，第二过渡段160内设有第二惰性气体喷嘴107。第二惰性气体喷嘴107可吹扫完成第二清洗段120内清洗的多晶硅，以便吹掉一部分多晶硅表面的水珠，对多晶硅进行初步净化。

第三过渡段170设在第三清洗段130和第四清洗段140之间，第三过渡段170内设有第三惰性气体喷嘴108，第三过渡段170内的底部设有第二集液盘。第三惰性气体喷嘴108可吹扫完成第三清洗段130内清洗的多晶硅，以便初步吹掉多晶硅表面的混酸溶液。第二集液盘可收集吹扫下来的混酸溶液，防止混酸溶液直接流出污染环境。

第四过渡段180设在第四清洗段140和干燥间200之间，第四过渡段180内设有第四惰性气体喷嘴109。第四惰性气体喷嘴109可吹扫完成第四清洗段140清洗的多晶硅，以便吹掉一部分多晶硅表面的水珠，对多晶硅进行初步净化。

在一些实施例中，第一机械臂301包括第一子机械臂、第二子机械臂、第三子机械臂和第三子机械臂。

第一子机械臂可移动地设在第一清洗段110内，第一子机械臂用于抓取和移动多晶硅，从而使得第一子机械臂可配合第一清洗槽对多晶硅进行清洗。

第二子机械臂可移动地设在第二清洗段120内，第二子机械臂用于抓取和移动多晶硅，从而使得第二子机械臂可配合第二清洗槽对多晶硅进行清洗。

第三子机械臂可移动地设在第三清洗段130内，第三子机械臂用于抓取和移动多晶硅，从而使得第三子机械臂可配合第三清洗槽对多晶硅进行清洗。

第四子机械臂可移动地设在第四清洗段140内，第四子机械臂用于抓取和移动多晶硅，从而使得第四子机械臂可配合第四清洗槽对多晶硅进行清洗。

如图1和图3所示，在一些实施例中，根据本发明实施例的多晶硅清洗装置1000还包括上料平台401和下料平台402。

上料平台401邻近第一清洗间100，上料平台401具有上料台面。机械手将多晶硅抓取到上料台面上，从而便于第一机械臂抓取和移动多晶硅。

下料平台402邻近干燥间200，下料平台402具有下料台面。下料台面用于放置完成清洗后的多晶硅，从而便于多晶硅的包装，防止长时间暴露在空气中再次被污染。

在一些实施例中，根据本发明实施例的多晶硅清洗装置1000还包括冷却器403、加热器404、第一集液槽和第二集液槽。

冷却器403设在上料平台401内。第一集液槽与第一清洗槽相连，例如，从第一清洗槽溢流的碱性清洗液可流入第一集液槽内。冷却器403的进口通过泵体与第一集液槽的出口相连，冷却器403的出口与第一清洗槽的进口相连。从而使得碱性清洗液可在第一集液槽、第一清洗槽和冷却器403中形成液体循环，使得冷却器403可对碱性清洗液进行降温，使得第一清洗槽内的碱性清洗液处于便于去除污染物的温度。

可选地，第一清洗槽内的碱性清洗液的温度为35度至45度之间，例如，第一清洗槽内的碱性清洗液的温度为40度。

加热器404设在下料平台402内，第二集液槽与第四清洗槽相连，例如，从第四清洗槽溢流的高纯水可流入第二集液槽内。加热器404的进口通过泵体与第二集液槽的出口相连，加热器404的出口与第四清洗槽的进口相连。从而使得高纯水可在第二集液槽、第四清洗槽和加热器404中形成液体循环，使得加热器404可加热高纯水，使得第四清洗槽内的高纯水处于便于去除多晶硅表面的混酸溶液的温度。

可选地，第四清洗槽内的高纯水的温度为40度至60度之间，例如，第四清洗槽内的高纯水的温度为50度。

在一些实施例中，根据本发明实施例的多晶硅清洗装置1000还包括抽真空装置。抽真空装置与干燥装置配合。多晶硅进入到干燥装置后，抽真空装置对干燥装置内的腔体进行抽真空，防止在干燥装置内进行干燥的多晶硅受到气体污染。例如，采用红外辐射的间接加热方式，实现无接触化干燥多晶硅。

在一些实施例中，第一鼓泡器、第二鼓泡器、第三鼓泡器、第四鼓泡器、第一惰性气体喷嘴106、第二惰性气体喷嘴107、第三惰性气体喷嘴108和第四惰性气体喷嘴109的至少一个的出气口构成惰性气体进口。在对清洗间内的空气进行置换时，第一鼓泡器、第二鼓泡器、第三鼓泡器、第四鼓泡器、第一惰性气体喷嘴106、第二惰性气体喷嘴107、第三惰性气体喷嘴108和第四惰性气体喷嘴109的该至少一个的出气口可喷出惰性气体进行空气置换。

根据本发明实施例的多晶硅清洗装置1000还包括供酸供碱柜，供酸供碱柜位于清洗间100的下方，供酸供碱柜具有第一供液口、第三供液口、第一收液口和第三收液口，第一供液口、第三供液口、第一收液口和第三收液口分别与供酸供碱柜内不同的腔室连接。第一供液口与第一进料泵的进口连通，以便向第一清洗槽内提供碱性清洗液。第一清洗槽与第一收液口连通，以便第一清洗槽内的废液从第一收液口进入供酸供碱柜内，防止污染环境。第三供液口与第三进料泵的进口连通，以便向第三清洗槽提供混酸溶液。第三清洗槽与第三收液口连通，以便第三清洗槽内的废液从第一收液口进入供酸供碱柜内，防止污染环境。

如图1至图3所示，在一些实施例中，据本发明实施例的多晶硅清洗装置1000包括上料平台401、清洗间100、干燥间200、移动装置和下料平台402。

清洗间100在邻近干燥间200的方向依次包括第一清洗段110、第一过渡段150、第二清洗段120、第二过渡段160、第三清洗段130、第三过渡段170、第四清洗段140和第四过渡段180。

在对多晶硅清洗时，利用惰性气体对清洗间100和干燥间200内的空气被进行置换。

上料平台401上的多晶硅通过第一子机械臂穿过清洗间100的第一风淋防护门并进入第一清洗段110内，利用第一清洗槽内的碱性清洗液通过浸泡、鼓泡和溢流的清洗方式对多晶硅进行清洗，以便去除所述多晶硅表面粘附的污染物。

通过第一清洗段110的多晶硅通过第一子机械臂进入到第一过渡段150，利用第一惰性气体喷嘴106吹扫完成第一清洗段110内清洗的多晶硅，以便初步吹掉多晶硅表面的碱性清洗液。

通过第一过渡段150的多晶硅通过第二子机械臂进入到第二清洗段120，利用第二清洗槽内的高纯水通过浸泡、鼓泡和溢流的清洗方式对多晶硅进行清洗，以便去除多晶硅表面的碱性清洗液和灰尘。

通过第二清洗段120的多晶硅通过第二子机械臂进入到第二过渡段160，利用第二惰性气体喷嘴107吹扫完成第二清洗段120内清洗的多晶硅，以便初步吹掉多晶硅表面的高纯水。

通过第二过渡段160的多晶硅通过第三子机械臂进入到第三清洗段130，利用第三清洗槽内的混酸溶液通过浸泡、鼓泡和超声的清洗方式对多晶硅进行清洗，以便去除多晶硅的表层氧化物和杂质。

通过第三清洗段130的多晶硅通过第三子机械臂进入到第三过渡段170，利用第三惰性气体喷嘴108吹扫完成第三清洗段130内清洗的多晶硅，以便初步吹掉多晶硅表面的混酸溶液。

通过第三过渡段170的多晶硅通过第四子机械臂进入到第四清洗段140，利用第四清洗槽内的高纯水通过浸泡、鼓泡和溢流的清洗方式对多晶硅进行清洗，以便去除多晶硅表面的混酸溶液和杂质。

通过第四清洗段140的多晶硅通过第四子机械臂进入到第四过渡段180，利用第四惰性气体喷嘴109吹扫完成第四过渡段180内清洗的多晶硅，以便初步吹掉多晶硅表面的高纯水。

通过第四过渡段180的多晶硅通过第二机械臂302移动到干燥间200内，以便干燥装置对清洗过后的多晶硅进行烘干，烘干后的多晶硅通过第二机械臂302移动到下料平台402，以便对多晶硅进行包装，从而防止多晶硅再次被污染。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本发明中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。