一种大电流高压硅堆的清洗方法与流程

本发明涉及硅堆清洗技术领域，具体为一种大电流高压硅堆的清洗方法。

背景技术：

高压硅堆由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成，是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件，由于高压整流是以阴极射线扫描的方式呈现图像的屏幕(包括老式电视机，电脑屏幕)中必不可少的部分，有很多厂家生产高压硅堆，电压从1kv～1000kv；电流从1ma～100a不等；

目前大电流高压硅堆在清洗时由于清洗的不到位，使得高压硅堆表面杂质去除的效果不太理想，从而影响其使用的耐久性以及可靠性，大大的降低了高压硅堆的使用寿命，给使用者带来不便。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本发明提供了一种大电流高压硅堆的清洗方法，具有便于搬运和称重的功能的优点，解决了高压硅堆在清洗时由于清洗的不到位，使得高压硅堆表面杂质去除的效果不太理想，从而影响其使用的耐久性以及可靠性，大大的降低了高压硅堆的使用寿命，给使用者带来不便。

本发明提供如下技术方案：一种大电流高压硅堆的清洗方法，该大电流高压硅堆的清洗方法步骤如下：

步骤一、浸泡，首先通过机械手臂将高压硅堆放入混合液体中浸泡，浸泡时长为60-80s，而后取出，静置2-3小时，然后通过纯净的蒸馏水进行反复冲洗，冲洗时长为50-60s，得到第一次清洗后的高压硅堆。

步骤二、重复清洗，将第一次采用蒸汽清洗后的高压硅堆再次清洗，这次采用纯水清洗，清洗后甩干，在100℃-120℃的氮气箱内干燥处理，干燥处理时长为20-30min，得到烘干后的高压硅堆。

步骤三、清洗剂深度清洗，将得到的烘干后的高压硅堆进行深度清洗，采用药剂清洗，药剂清洗后通过溢水清洗残留药剂，时长为3-5min，而后提拉烘干，得到深度清洗后的高压硅堆。

步骤四、超声清洗，将步骤三中得到的深度清洗后的高压硅堆进行超声清洗，将高压硅堆放入温度为30-55℃的纯水中使用超声波清洗10-15min；然后将其放入加有3-8％wt的乳酸且温度为60-75℃的纯水槽中清洗20-30min，得到超声清洗后的高压硅堆。

步骤五、脱水，将步骤四中得到的超声清洗后的高压硅堆采用丙酮脱水，丙酮脱水处理的次数为两次，得到脱水后的高压硅堆。

步骤六、烘干，将脱水后的高压硅堆进行烘干处理，首先采用提拉烘干的方式，将硅堆内部的硅片进行烘干，而后再采用热n2烘干，采用热风将高压硅堆吹干，冷却备用，即可完成大电流高压硅堆的清洗方法，最终得到表面无杂质的高压硅堆。

优选的，步骤一中混合液体为碱溶液为氨水与双氧水的混合溶液，所述氨水与所述双氧水的体积比为1:2，所述氨水为质量分数44％-45％溶液。

优选的，步骤一中反复冲洗时采用蒸汽水枪，其采用压力为3.5mpa-4.2mpa的喷枪进行双面喷淋。

优选的，步骤二中采用纯水冲洗时纯水的电阻率为5-8mω.cm，烘干时氮气的浓度维持在0.0276-0.045mol/l。

优选的，步骤三中药剂清洗时，药剂是由乙二胺四乙酸、氢氧化钠、丙三醇、过氧化氢溶液、氢氧化钾以及去离子水制备而成。

优选的，所述步骤五中第一次丙酮脱水处理的时间为5-6min，第二次丙酮脱水处理的时间为3-5min。

优选的，步骤六中在烘干时首先慢提拉时间为30-60s，温度为35-50℃，烘干时间为15-20min。

与现有技术对比，本发明具备以下有益效果：

该一种大电流高压硅堆的清洗方法，采用多次不同的清洗方法以及使用方式，使得高压硅堆在清洗时可以逐渐加深清洗的力度，从而使得清洗效果更好，通过不同的清洗内容，可以有效的将高压硅堆的表面杂质去除，从而提高高压硅堆的耐久性及可靠性，也提高了其使用寿命。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

清洗时，首先浸泡，通过机械手臂将高压硅堆放入混合液体中浸泡，混合液体为碱溶液为氨水与双氧水的混合溶液，所述氨水与所述双氧水的体积比为1:2，所述氨水为质量分数44％溶液，浸泡时长为60s，而后取出，静置2小时，然后通过纯净的蒸馏水进行反复冲洗，冲洗时长为50s，反复冲洗时采用蒸汽水枪，其采用压力为3.5mpa的喷枪进行双面喷淋，得到第一次清洗后的高压硅堆；其次重复清洗，将第一次采用蒸汽清洗后的高压硅堆再次清洗，这次采用纯水清洗，清洗后甩干，在100℃的氮气箱内干燥处理，干燥处理时长为20min，采用纯水冲洗时纯水的电阻率为5mω.cm，烘干时氮气的浓度维持在0.029mol/l，得到烘干后的高压硅堆；而后清洗剂深度清洗，将得到的烘干后的高压硅堆进行深度清洗，采用药剂清洗，药剂清洗后通过溢水清洗残留药剂，时长为3min，而后提拉烘干，药剂是由乙二胺四乙酸、氢氧化钠、丙三醇、过氧化氢溶液、氢氧化钾以及去离子水制备而成，得到深度清洗后的高压硅堆；然后超声清洗，将步骤三中得到的深度清洗后的高压硅堆进行超声清洗，将高压硅堆放入温度为35℃的纯水中使用超声波清洗10min；再将其放入加有5％wt的乳酸且温度为60℃的纯水槽中清洗25min，得到超声清洗后的高压硅堆；再进行脱水，将步骤四中得到的超声清洗后的高压硅堆采用丙酮脱水，丙酮脱水处理的次数为两次，第一次丙酮脱水处理的时间为5min，第二次丙酮脱水处理的时间为3min，得到脱水后的高压硅堆；最后烘干，将脱水后的高压硅堆进行烘干处理，首先采用提拉烘干的方式，将硅堆内部的硅片进行烘干，烘干时首先慢提拉时间为30s，温度为35℃，烘干时间为15min，而后再采用热n2烘干，采用热风将高压硅堆吹干，冷却备用，即可完成大电流高压硅堆的清洗方法；

将上述方案中清洗后的高压硅堆进行清洗检测测试，测试环境是在温度在25±5℃，相对湿度≤60％条件下，放置2小时以上24小时以内后按电性测试条件进行测试，其强度试验是无引线与本体的相对位移、无损伤、无松弛；其压力蒸煮测试最初数据为4.9mpa，最后数据为5.2mpa。

实施例2

清洗时，首先浸泡，通过机械手臂将高压硅堆放入混合液体中浸泡，混合液体为碱溶液为氨水与双氧水的混合溶液，所述氨水与所述双氧水的体积比为1:2，所述氨水为质量分数45％溶液，浸泡时长为80s，而后取出，静置3小时，然后通过纯净的蒸馏水进行反复冲洗，冲洗时长为60s，反复冲洗时采用蒸汽水枪，其采用压力为4.2mpa的喷枪进行双面喷淋，得到第一次清洗后的高压硅堆；其次重复清洗，将第一次采用蒸汽清洗后的高压硅堆再次清洗，这次采用纯水清洗，清洗后甩干，在120℃的氮气箱内干燥处理，干燥处理时长为30min，采用纯水冲洗时纯水的电阻率为6mω.cm，烘干时氮气的浓度维持在0.045mol/l，得到烘干后的高压硅堆；而后清洗剂深度清洗，将得到的烘干后的高压硅堆进行深度清洗，采用药剂清洗，药剂清洗后通过溢水清洗残留药剂，时长为5min，而后提拉烘干，药剂是由乙二胺四乙酸、氢氧化钠、丙三醇、过氧化氢溶液、氢氧化钾以及去离子水制备而成，得到深度清洗后的高压硅堆；然后超声清洗，将步骤三中得到的深度清洗后的高压硅堆进行超声清洗，将高压硅堆放入温度为55℃的纯水中使用超声波清洗15min；再将其放入加有6％wt的乳酸且温度为75℃的纯水槽中清洗30min，得到超声清洗后的高压硅堆；再进行脱水，将步骤四中得到的超声清洗后的高压硅堆采用丙酮脱水，丙酮脱水处理的次数为两次，第一次丙酮脱水处理的时间为6min，第二次丙酮脱水处理的时间为5min，得到脱水后的高压硅堆；最后烘干，将脱水后的高压硅堆进行烘干处理，首先采用提拉烘干的方式，将硅堆内部的硅片进行烘干，烘干时首先慢提拉时间为60s，温度为50℃，烘干时间为20min，而后再采用热n2烘干，采用热风将高压硅堆吹干，冷却备用，即可完成大电流高压硅堆的清洗方法；

将上述方案中清洗后的高压硅堆进行清洗检测测试，测试环境是在温度在25±5℃，相对湿度≤60％条件下，放置2小时以上24小时以内后按电性测试条件进行测试，其强度试验是无引线与本体的相对位移、无损伤、无松弛；其压力蒸煮测试最初数据为5.1mpa，最后数据为5.5mpa。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。