半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备的制作方法

本实用新型涉及一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备。

背景技术：

半导体的废弃封装材一般称为废压模胶，为芯片封装制程的下脚料，为制程的废弃物，其成分为含有二氧化硅70％～90％的热固性树脂，一般处理该半导体废弃封装材的方式是委由清除处理机构采掩埋或焚化处理；近年来已有业者将废压模胶作为水泥替代原料或纤维强化塑料(frp)补强材，压模胶主要成分为二氧化硅可替代部分水泥原物料，压模胶另一成分为热固性树脂具有高热值可部分替代燃料，利用压模胶这二项成分特性，可用于水泥厂进行水泥原物料替代的资源化作用，该废弃封装材另一可作为frp补强材，将不能用的热固性树脂材料按各种比率与纯树脂相拌合，使其得以作为frp补强材再利用，然，现有对废弃封装材再利用的用途，均为使用单一性，无法将废弃封装材中的二氧化硅提纯，以供不同用途使用。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的，是在提供一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备，可有效解决半导体废弃封装材的处理问题。

本实用新型的半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备，主要是设有供破碎废弃封装材的破碎机，该破碎机由第一输送装置连接至一第一烘箱，该第一烘箱由第二输送装置连接至一加热分解槽，该加热分解槽上设有分解液注入器，该加热分解槽由第三输送装置连接至一第一压滤机，该第一压滤机是由第四输送装置连接至一清洗槽，该清洗槽是由第五输送装置连接至一第二压滤机，该第二压滤机是由第六输送装置连接至一第二烘箱，该第二烘箱是由第七输送装置连接至一破碎分级装置，该破碎分级装置是由第八输送装置连接至集料槽。

本实用新型半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备，其优点在于：可将半导体的废弃封装材再生为高纯度的二氧化硅粉体，可作为耐火材料、工业用填充材或陶瓷材料等的原料，具有更广泛的用途，可使废弃封装材达到最佳的资源化再利用。

附图说明

图1所示是为废弃封装材的构造示意图。

图2所示是为本实用新型实施例二氧化硅再生设备的示意图。

图3所示是为本实用新型实施例二氧化硅再生方法的流程图。

符号说明：

1半导体废弃封装材10热固性树脂11二氧化硅粉体

2破碎机20第一输送装置

3第一烘箱30第二输送装置

4加热分解槽40分解液注入器41第三输送装置

5第一压滤机50第四输送装置

6清洗槽60第五输送装置

7第二压滤机70第六输送装置

8第二烘箱80第七输送装置

9破碎分级装置90第八输送装置91集料槽

具体实施方式

有关本实用新型为达上述的使用目的与功效，所采用的技术手段，兹举出较佳可行的实施例，并配合图式所示，详述如下：

本实用新型的实施例，是以湿式处理法对半导体废弃封装材进行二氧化硅再生处理，通过本实用新型的设备将半导体废弃封装材1的热固性树脂10进行分解或溶解，可分离出二氧化硅粉体11，请参阅图1、2所示，主要是设有供破碎废弃封装材的破碎机2，该破碎机2由第一输送装置20连接至一第一烘箱3，该第一烘箱3由一第二输送装置30连接至一加热分解槽4，该加热分解槽4上设有分解液注入器40，该加热分解槽4由一第三输送装置41连接至一第一压滤机5，该第一压滤机5是由一第四输送装置50连接至一清洗槽6，该清洗槽6是由一第五输送装置60连接至一第二压滤机7，该第二压滤机7是由一第六输送装置70连接至一第二烘箱8，该第二烘箱8是由一第七输送装置80连接至一破碎分级装置9，该破碎分级装置9是由一第八输送装置90连接至集料槽91，如此，即为半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备。

本实用新型以上述的二氧化硅再生设备对半导体废弃封装材进行再生处理，请参阅图3所示，其步骤如下：

(1)将废弃封装材置入破碎机2内进行破碎，破碎的后尺寸为1.0mm～5.0mm；

(2)将步骤(1)所得的封装材碎片置于承载盘，由第一输送装置20输送至第一烘箱3内进行裂化处理，目的在使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离，其处理温度为250～350℃，处理时间为10～60分钟；

(3)将步骤(2)裂化处理所得的封装材碎片，由第二输送装置30置入加热分解槽4内，再由分解液注入器40加入分解液于加热分解槽4内对封装材碎片进行分解，该分解液的组成为无机酸，该无机酸的成分为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸及去离子水，其浓度为10％～35％，该封装材碎片与分解液的重量比例为1：1～1：2，其加热温度为40℃～80℃，搅拌时间为1～3小时；

(4)将步骤(3)已分解完成的封装材及分解液，由第三输送装置41输送至第一压滤机5内进行过滤，得到二氧化硅滤饼，将该滤饼由第四输送装置50输送至清洗槽6内以纯水进行搅拌清洗，清洗时间为15～30分钟；

(5)将步骤(4)清洗完成的二氧化硅由第五输送装置60输送至第二压滤机7内进行过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；

(6)将步骤(5)所得的二氧化硅滤饼由第六输送装置70输送至第二烘箱8内，以100℃～150℃烘干60～200分钟；

(7)将步骤(6)所得的块状二氧化硅由第七输送装置80输送至破碎分级装置9进行破碎及分级，得到大于99％高纯度二氧化硅粉体产品，并由第八输送装置90输送至集料槽91集收。

藉由本实用新型的再生设备，可将半导体的废弃封装材再生为高纯度的二氧化硅粉体，经过粒度分级后可作为耐火材料、工业用填充材或陶瓷材料等的原料，具有更广泛的用途，可使废弃封装材达到最佳的资源化再利用。

上述实施例仅是针对本实用新型的较佳实施例进行具体说明而已，该实施例并非用以限定本实用新型的申请专利范围，举凡其它未脱离本实用新型所揭示的技术手段下所完成的均等变化与修饰，均应包含于本实用新型所涵盖的申请专利范围中。

技术特征：

1.一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备，其特征在于，设有供破碎废弃封装材的破碎机，该破碎机由第一输送装置连接至一第一烘箱，该第一烘箱由第二输送装置连接至一加热分解槽，该加热分解槽上设有分解液注入器，该加热分解槽由第三输送装置连接至一第一压滤机，该第一压滤机是由第四输送装置连接至一清洗槽，该清洗槽是由第五输送装置连接至一第二压滤机，该第二压滤机是由第六输送装置连接至一第二烘箱，该第二烘箱是由第七输送装置连接至一破碎分级装置，该破碎分级装置是由第八输送装置连接至集料槽。

技术总结

本实用新型公开了一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备，主要是设有供破碎废弃封装材的破碎机，该破碎机由第一输送装置连接至一第一烘箱，该第一烘箱由第二输送装置连接至加热分解槽，该加热分解槽上设有分解液注入器，该加热分解槽由第三输送装置连接至第一压滤机，该第一压滤机是由第四输送装置连接至一清洗槽，该清洗槽是由第五输送装置连接至第二压滤机，该第二压滤机是由第六输送装置连接至第二烘箱，该第二烘箱是由第七输送装置连接至破碎分级装置，该破碎分级装置是由第八输送装置连接至集料槽，如此，即为半导体废弃封装材的二氧化硅再生设备。