硅片清洗室清洗系统的制作方法

本实用新型涉及芯片设计生产技术领域，特别涉及一种硅片清洗室清洗系统。

背景技术：

芯片生产过程中包括硅片清洗工序，硅片清洗工序中需要通过酸性或者碱性的化学清洗剂对硅片进行清洗。

硅片清洗室中设置有用于承载硅片的载体和靠近载体设置的排气间隙，众所周知，酸性气体与碱性气体相遇会形成盐结晶，因此经过一段时间的使用之后，载体和排气间隙中就会积存盐结晶，为了避免这些盐结晶落在硅片上，就需要定期对硅片清洗室进行清洗。

如图1中所示，目前对硅片清洗室01进行清洗时所采用的方案为：机器每完成预设数量的硅片清洗作业后，利用机械臂02将清洗管路带到载体03上方喷水，虽然该种清洗方式能够将载体03和排气间隙04中的盐结晶清洗掉，但是机械臂02本身以及硅片清洗室01其他位置的盐结晶却无法清洗掉，为了避免机械臂02和其他位置的盐结晶掉落到硅片上，只能定期停机人工对硅片清洗室01进行清洁保养，这就显著拖慢了芯片的产能。

因此，在对载体和排气间隙进行清洗的同时，如何还能够实现对机械臂以及硅片清洗室的其他位置进行清洗是目前本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种硅片清洗室清洗系统，以便在对载体和排气间隙进行清洗的同时，还能够实现对机械臂以及硅片清洗室其他位置进行清洗，从而避免盐结晶掉落在硅片上，提升芯片加工的良率。

为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种硅片清洗室清洗系统，包括至少一根设置在硅片清洗室顶部且带有开关的第一清洗管道，所述第一清洗管道上设置有第一清洗液喷头，且所述第一清洗液喷头的喷射范围至少覆盖所述硅片清洗室内的载体、排气间隙以及机械臂。

优选地，每一根所述第一清洗管道上设置有多个沿所述第一清洗管道长度方向间隔分布的多个所述第一清洗液喷头。

优选地，同一根所述第一清洗管道上，相邻两个所述第一清洗液喷头的间距相等。

优选地，所述第一清洗液喷头的下端为弧形喷射面，所述弧形喷射面上开设有多个清洗液喷洒孔。

优选地，所述清洗液喷洒孔的直径为0.2mm～0.5mm。

优选的，所述硅片清洗室呈长方体状，且所述第一清洗液喷头的喷射范围还能够覆盖所述硅片清洗室的四个内壁以及整个底部。

优选的，所述硅片清洗室顶部设置有多根平行排布的所述第一清洗管道。

优选的，还包括与所述开关相连，并用于控制所述开关通断的控制模块。

优选的，还包括设置在所述机械臂上，且带有开关的第二清洗管道，所述第二清洗管道上设置有用于对所述载体以及所述排气间隙进行清洗的第二清洗液喷头。

优选的，所述第一清洗管道为聚丙烯管道或者聚四氟乙烯管道。

本实用新型中所公开的硅片清洗室清洗系统中，在硅片清洗室顶部设置有至少一根带开关的第一清洗管道，第一清洗管道上设置有第一清洗液喷头，并且第一清洗液喷头的喷射范围至少覆盖了硅片清洗室内的载体、排气间隙以及机械臂。

当进行硅片清洗室的清洗时，开关打开，清洗液通过第一清洗管道进入喷头内，然后将清洗液喷射在载体、排气间隙以及机械臂上，从而完成对载体、排气间隙以及机械臂的清洗，这可以有效避免盐结晶掉落在硅片上，从而提升芯片加工的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的硅片清洗室清洗系统的结构示意图；

图2为本实用新型中的硅片清洗室清洗系统的结构示意图；

图3为图中a部分的第一清洗液喷头底部放大示意图。

其中，1为硅片清洗室，2为机械臂，3为载体，4为排气间隙，5为第一清洗管道，6为第一清洗液喷头，7为开关，8为清洗液喷洒孔。

具体实施方式

本实用新型的核心在于提供一种硅片清洗室清洗系统，以便在对载体和排气间隙进行清洗的同时，还能够实现对机械臂以及硅片清洗室其他位置进行清洗，从而避免盐结晶掉落在硅片上，提升芯片加工的良率。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参考图2和图3，本实用新型中所公开的硅片清洗室清洗系统，包括至少一根第一清洗管道5，第一清洗管道5上设置有第一清洗液喷头6，从图2中可以清楚看出，第一清洗管道5带有开关7并且第一清洗管道5设置在硅片清洗室1的顶部，第一清洗液喷头6的喷射范围至少需要覆盖硅片清洗室1内的载体3、排气间隙4以及机械臂2。

当进行硅片清洗室1的清洗时，开关7打开，清洗液通过第一清洗管道5进入第一清洗液喷头6内，然后将清洗液喷射在载体3、排气间隙4以及机械臂2上，从而完成对载体3、排气间隙4以及机械臂2的清洗，相比于现有技术而言，除了能够对载体3和排气间隙4进行盐结晶的清洗之外，上述实施例中所公开的方案还能够对机械臂2进行盐结晶的清洗，这可以有效避免盐结晶掉落在硅片上，从而提升芯片加工的良率。

根据实际喷射范围需求，本领域技术人员可设置一根或多根上述第一清洗管道5，每根第一清洗管道5上的第一清洗液喷头6均沿第一清洗管道5长度方向上间隔分布，当设置有多根第一清洗管道5时，多根第一清洗管道5可采用平行设置的方式进行布置，当然，多根第一清洗管道5采用非全部平行(即仅有一部分第一清洗管道相互平行)的方式也可以达到清洗效果；为了保证各个部位能够被均匀清洗，每根第一清洗管道5上的任意相邻两个第一清洗液喷头6之间的间距均相等。

请参考图3，在本实施例中，任意一个第一清洗液喷头6的下端均为弧形喷射面，弧形喷射面上设置有多个清洗液喷洒孔8，经由清洗液喷洒孔8，清洗液被喷射到相应位置上对相应部件进行清洗。

一种实施例中，清洗液喷洒孔8的直径为0.2mm～0.5mm(包括端点)，当然，针对不同尺寸的硅片清洗室，本领域技术人员还可以根据实际需要对清洗液喷洒孔8的直径作出适应性调整。

结合图2进行理解，在本实施例中，硅片清洗室1具体呈长方体状，第一清洗液喷头6的喷射范围还能够覆盖硅片清洗室1的四个内壁以及整个底部，需要进行说明的是，第一清洗液喷头6虽然设置在硅片清洗室1的顶部，但除非是其具有沿水平面喷射的清洗液喷洒孔8或者倾斜朝上的清洗液喷洒孔8，否则第一清洗液喷头6不能够在高度方向上完全覆盖硅片清洗室的四个内壁，因此本实施例中的“覆盖硅片清洗室的四个内壁”既包括对硅片清洗室1四个内壁的部分覆盖，也包括对硅片清洗室1四个内壁的全部覆盖。

更进一步的，为了提高整个硅片清洗室1清洗系统的自动化水平，本实施例中所公开的硅片清洗室清洗系统中，还包括一控制模块，该控制模块与开关相连，当达到预设的硅片清洗数量后，控制模块控制开关打开，当达到预设的清洗时间后，控制模块控制开关7关闭，从而完成硅片清洗室的自动清洗工作。

请参考图2，在机械臂2上还设置有带有开关7的第二清洗管道，第二清洗管道上设置有对载体3以及排气间隙4进行清洗的第二清洗液喷头，以进一步提高硅片清洗室1的清洗效果，第二清洗管道上的开关7也可通过上述控制模块进行自动化控制。

当然，本领域技术人员能够理解，开关7也可以采用手动开关进行人工控制。

第一清洗管道5以及第二清洗管道的具体制造材质可以有多种选择，本实施例中的第一清洗管道5以及第二清洗管道可采用聚丙烯管道或者聚四氟乙烯管道。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。