近日，经过深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司研发团队的不懈努力，在捷佳伟创的管式PECVD设备上进行背面钝化技术的硅片少子寿命在传统工艺的基础上提高了5倍，这证明捷佳伟创的背面镀膜钝化已经成熟，这项进步填补了国产设备背面镀膜钝化技术的空白。背面镀膜钝化技术是以不同的成膜方式在硅片的背面形成钝化层的工艺技术，此工艺一
近日，经过深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司研发团队的不懈努力，在捷佳伟创的管式PECVD设备上进行背面钝化技术的硅片少子寿命在传统工艺的基础上提高了5倍，这证明捷佳伟创的背面镀膜钝化已经成熟，这项进步填补了国产设备背面镀膜钝化技术的空白。
背面镀膜钝化技术是以不同的成膜方式在硅片的背面形成钝化层的工艺技术，此工艺一直被德国的Roth&Rau镀膜设备和Centrotherm镀膜设备所垄断。在新技术的开发期间，捷佳伟创研发团队做了大量的文献研究工作，并且对不同的钝化层工艺进行了DOE试验，终于实现了少子寿命的稳定、重复提升，并且与文献记录完全相符，这一突破充分证明了捷佳伟创的管式PECVD设备在此技术上已经进入国际领先水平，这是我司装备制造水平提升的标志，也为越加寒冷的光伏行业带来了些许暖意。
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标题:捷佳伟创”背面钝化技术”取得突破性进展
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