2.剥切铜屏蔽及外半导电屏蔽:在距电缆线端头255mm处剥切铜屏蔽,剥铜屏蔽时,切割处用恒力弹簧扎紧,只能环切一刀痕,约2/3深度,不能切穿,以免损伤半导电层。剥除时,应在刀痕处用手撕剥,断开后向线芯端部剥除。铜屏蔽层的端口应切割平整,不得有尖端和毛刺。在距铜屏蔽20mm处剥切外半导体层,剥切外半导电,环切及纵切刀痕,不能切穿,以免损伤主绝缘。外半导电层应剥除干净,不得留有残迹,外半导电层剥除后,用细砂纸打磨绝缘表面,去除吸附在绝缘表面的半导电粉尘。在外半导电层的端口,用刀切削或砂纸打磨成小斜坡,坡面应砂磨圆整光洁,与绝缘层平滑过渡。
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