虽然已经不止一家公司宣称今年底就要推出64位ARM处理器进军服务器市场,但是64位ARMV8处理器真正有所作为还要等一两年时间,因为它将使用TSMC的FinFET薄膜晶体管工艺,在2014年的16nm工艺节点上才会正式启用。
根据TSMC公布的路线图,28nm工艺已经是过去时(产能问题解决了吗?),明年将启用CLN20SOC工艺,也就是20nmHKMG工艺,2014年会进入16nmFinFET时代,但是2013年11月份TSMC就会开始小批量试产这一工艺,尽可能降低2014年的工艺风险。再往后就是2016年的10nmFinFET工艺阶段了。
工艺转换的过程不一定都是那么顺利的,有公司表示他们在20nm节点就遇到了障碍,必须要重新设计像USB这样的集成电路图,花了近一年时间,原因就是20nm工艺的晶体管只有1.8V电压,而USB芯片正常来说需要5V及3.3V电压。
EDA(电子自动化设计)业界的高管们表现现在比较TSMC的16nmFinFET工艺与竞争对手比如GlobalFoundries公司的同代工艺为时过早,后者宣布将在2014年推出14nm-XM工艺,使用的也是FinFET晶体管。目前这些晶圆厂的FinFET工艺还处于初期阶段,尚未达到最优状态,虽然已经有厂商开始使用这一工艺流片了。
TSMC研发副总CliffHou表示他们的16nmFinFET工艺在后端工序上与20nmSOC工艺相似,其他公司在向14nm/16nm工艺迈进的时候也会选择与20/22nm工艺相近的后端处理程序以降低风险。
TSMC称将在明年1月份提供16nmFinFET工艺的设计工具,之后一个月会有首个包含cell单元和SDRAM单元的IP内核,2013年11月份会开始进行TSMC称为“RiskProduction”的限量试产,四到五个季度之后会正式开始流片,换言之一切顺利将在2014年底量产16nmFinFET工艺,不顺利的话就得延后,路线图上已经留出了2015年这段时间做后路了。
TSMC表示,FinFET工艺的漏电流跟20nm差不多,毕竟它就是以后者为基础的,但是FinFET工艺可以大幅提升电路性能达35%,总的功耗也能下降35%。
来源:EETimes
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