虽然Agility4系列已经发布，而且也有了性能测试，但是OCZ似乎并不打算让使用自家主控的A4完全取代现有的Agility3系列，后者将低调升级为20nm工艺NAND闪存，要在低端市场继续存在一段时间了。
在OCZ的一份官方PDF中介绍了20nm闪存的A3性能，新型号名为AGT3-25SAT3-120G.20，现有产品则是AGT3-25SAT3-120G，主控依然是SF-2281，但是闪存从IMFT的25nmMLC换为20nmMLC，当然还是要保持同样的异步（Asynchronous）特色。
新版A3性能规格
指标性能看起来还不差，最大读写速度甚至从原先的525、500MB/s小幅提升到了550、530MB/s，不过认真你就输了，上述速度只是理论值，是利用可压缩数据测得，Hardware.fr表示在OCZ的PPT介绍中看到了AS-SSD中的实际性能
连续读取：190MB/s，旧版A3是195MB/s
连续写入：130MB/s，旧版A3是140MB/s
随机读取4KQD64:22KIOPS，旧版是23KIOPS
随机写入4KQD64：35.5KIOPS,旧版是34KIOPS
新版A3依然是3年质保，MTBF可靠性是200万小时，售价未知，估计应该是持平或者更低。
唯一的不确定性就是20nm工艺的使用寿命了，这也是所有20nm闪存工艺面临的共同挑战，先期产品的P/E次数只有1500次，目前20nm工艺算是规模量产了，不知道P/E次数是否能恢复到25nm工艺时的3000次。
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