三星全新的840系列SSD已经发布，840
Pro256GB的性能在前几天也介绍过了，840Pro的性能非常出色，不过性能稍微低点的840系列可能更多人关注些，因为它采用的是21nm
Toggle2.0TLC闪存，是全球首款TLCSSD产品。
AnandTech今天放出的840
250GB的性能预览，从三星给出的官方数据来看，其实840的表现应该不会差，但是大家对TLC闪存的肯定会有点不放心。
AnandTech重载测试
本测试中840250GB的表现没有像840Pro256GB那样摇摇领先其他产品，现在反而比上代830
128GB的表现还差，其实840在读取速度上是和840Pro很接近的，但是写入表现很糟糕，原因除了固件上可能有限制之外，其实我觉得最大的原因是在TLC闪存上，TLC是每存储单元上存储3位数据，而MLC则是每单元2位，但是代价就是擦除和编程所需要的时间就更加的长，写入延迟要比MLC增加50%，所以才出现如此糟糕的表现。
AnandTech轻载测试中读取的比重较大，所以总体传输速度可以接近840Pro
三星的工程师在介绍840时有说过，840在设计时是比较注重读取速度的，因为用户日常使用中读取操作占了大多数，TLC闪存可以有效的增大SSD的容量并降低成本，如果可以在保证读取性能良好，适量牺牲写入性能其实这也是合理的。
另外大家都对TLC闪存的寿命没多大信心吧，三星并没有说他们所用的TLC闪存的P/E次数是多少，但是SSD的总体写入寿命是达到PB等级的，比某些用MLC闪存的SSD寿命都要长。
至于完整的评测AnandTech说会稍后放出来，各位敬请期待。
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