ISSCC前瞻:三星展示big.LITTLE处理器,龙芯3B升级32nm

新一届ISSCC固态电路国际会议将于2013年2月17-21日在美国旧金山举行,目前大会的论文提交工作已经收尾,三星、Intel、NVIDIA、AMD以及国内的龙芯都会亮相。如果你想关注明年的处理器技术走向,那么现在就来看看他们会展示什么技术吧。

EETime报道称包括Intel、NVIDIA在内的大部分厂商都只是发表论文而已,不过三星准备展示的是他们的big.LITTLE架构的处理器,big.LITTLE是ARM推出的,一个处理器内集成两种不同的ARM内核,一种是高性能同时功耗也较高的,另一个则是低性能但是功耗最低的,二者可以根据任务要求随时切换。

ISSCC前瞻:三星展示big.LITTLE处理器,龙芯3B升级32nm

三星将是首家使用ARMbig.LITTLE架构的厂商

big.LITTLE在ARM发布64位Cortex-A57和Cortex-A53时就有过介绍,不过三星展示的方案是基于Cortex-A15和Cortex-A7的,其中A15内核频率1.8Ghz,集成2MBL2缓存,A7内核频率为1.2GHz,功耗更低,使用的是28nm工艺。

林利集团分析师KevinKrewell预计三星将是第一个拿出big.LITTLE方案的厂商,A7内核已经足够满足(智能手机)的任务要求,而A15内核只有在那些需要极高性能的场合从有用,比如大型游戏。

高通、NVIDIA等公司明年也会推出采用big.LITTLE设计的ARM处理器,他们将在平板电脑市场上与Intel的22nmHaswell低功耗处理器相竞争。

与过去的几年不同,Intel在明年的ISSCC会议上不准备发布处理器相关的论文,不过他们公布的是一种速度可达1Tbit/s的64通道芯片互联技术,使用了多重2-16Gbit/s通道,32nmCOM工艺制造,每通道功耗为0.8-2.6pj/bit,总功耗为2.6W左右。

Intel发表这样的论文是为未来的X86及Atom服务器做准备,因为目前Samtec以及ArdentConcepts生产的Tbit/s级屏蔽双导馈电线功耗高达20W,已经不能满足未来的低功耗要求了。

于此同时,NVIDIA发表的论文则是有关20Gbit/s串行芯片互联技术,它使用28nmCMOS工艺制造,电压需要0.9V,功耗则为0.54pj/b,比Intel的还节能。据悉NVIDIA会在ProjectDenver中使用这一技术。

ISSCC前瞻:三星展示big.LITTLE处理器,龙芯3B升级32nm

2011年的龙芯3B情况

国产的龙芯3B芯片也会再度出现在ISSCC2013会议上,2011年的ISSCC会议上亮相的龙芯3B处理器使用的还是65nmCMOS工艺,明年展示的龙芯3B将升级32nmHKMG工艺,40W功耗下频率1.35GHz,性能可大172.8GFLOPS,而65nm工艺的龙芯3B在40W功耗下性能只有128GFLOPS,架构及制程工艺改进明显。

还有就是德仪,虽然他们即将退出手机处理器市场,不过公司还会继续研发其他处理器。他们将和MIT公布一款200MHz频率的视频解码器,每秒可处理249M像素,处理3480×2160分辨率视频时功耗只有76mW。

瑞萨电子则会公布一款28nm工艺的SOC芯片,双核1.5GHz,集成LTE/HSPA+基带、GPU核心以及功耗管理芯片等。

其他厂商中AMD还会继续发表他们的Jaguar架构的低功耗处理器,IBM及Oracle分别发表zSeries及SparcT5处理器相关的论文,不过都不是什么最新的了,8月份的HotChips会议上已经有过介绍了。

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