三星电子宣布世界首款DDR4内存开发完成

今天三星电子宣布，世界首款DDR4DRAM内存的发开已经完成，现在正在使用30nm级别的工艺进行样品生产。

三星DDR4DRAM内存

据三星方面介绍，这次他们生产的是世界上首款DDR4DRAM内存，属于UDIMM类型(UnbufferedDualIn-LineMemoryModules，无缓冲双信道内存模块)，运行频率为2133MHz，工作电压为1.2V，采用30nm级别工艺制造，容量为2GB。

据称，三星这款DDR4内存还采用了来自高端显存的POD（PseudoOpenDrain，虚拟开漏极）技术，在读写时漏电率仅DDR3内存芯片的一半，功耗减少40%。

在内存历史上，首款DDR、DDR2和DDR3的内存均由三星出品，这次三星继续保持了这个记录，希望最终的产品不会让大家失望。

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