单片容量128GB，东芝24nm e-MMC NAND闪存芯片出炉

日前东芝宣布采用24nm工艺的e-MMCNAND闪存芯片正式推出，可为智能手机和平板电脑等各种便携式移动设备带来更大的存储容量。

东芝24nme-MMCNAND闪存芯片基于ToggleDDRNAND闪存而开发，符合e-MMCVersion4.41标准规范，单颗存储核心容量为8GB，每片芯片可封装16颗存储核心和1个闪存控制器，单芯片最大总容量达128GB。

东芝还称，封装完成的芯片体积非常小，根据容量的不同，芯片尺寸最小为11.5*13.0*1.0mm，最大尺寸为14.0*18.0*1.2mm，非常适合移动设备采用。目前该款e-MMCNAND闪存芯片已经开始提供8/16/32/64GB的样品，并预计在今年第三季度开始出货。