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三星试产30nm工艺MLC多层闪存企业级固态硬盘

三星近日宣布已开发出并开始试产采用MLCNAND多层闪存芯片的企业级固态硬盘,性能上可媲美于目前使用SLCNAND单层闪存芯片的同类产品。三星试产30nm工艺MLC多层闪存企业级固态硬盘  第1张

这款硬盘面向企业级存储系统,大小为2.5英寸,采用30nm工艺制造,支持SATA3Gbps接口,随机读取IOPS为43000,随机写入为11000。相比于IOPS仅为350的企业级机械硬盘,它的读取和写入速度分别高出120倍和30倍。

此外,它还使用了端到端数据保护和加密功能,提高了硬盘的安全性可靠性,为企业数据存储提供了保障。这款采用MLCNAND闪存芯片的固态硬盘容量有100GB、200GB和400GB,预计将于下月进入量产阶段。

三星试产30nm工艺MLC多层闪存企业级固态硬盘  第2张

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