台积电年末使用16nm FinFET技术，15年进军10nm芯片

来自EETimes的消息：台积电计划在今年年末开始使用16纳米的FinFET技术，另外还计划通过EUV光刻技术在2015年制造出10纳米的芯片。台积电年末使用16nm FinFET技术，15年进军10nm芯片第1张

台积电年末使用16nm FinFET技术，15年进军10nm芯片第2张

台积电是世界上最大的半导体代工厂，但面临着GlobalFoundries和三星的竞争。台积电CEO张忠谋认为他们还可以再发展7至8年，或更长时间，而制程技术可以达到10纳米，甚至7纳米。他还认为摩尔定律仍在延续，如果仍有其他人追随这定律，他们也会这样做。

他表示今年台积电的资本支出会超过90亿美元，而2009年时为20亿美元。

台积电年末使用16nm FinFET技术，15年进军10nm芯片第3张

张忠谋

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本文由 @huishou5 于2021-06-12发布在泊祎回收，如有疑问，请联系我们。