早在今年2月份，美光（Micron）就发布了其创新内存技术HybridMemoryCube（混合内存立方体，以下简称HMC）。而在日前的HotChips大会上，美光再次展示了这个技术，并将其称为是“DRAM内存的未来”。
美光方面表示，HMC内存技术最大的突破就是内存带宽，目前DDR3-1600内存可以提供的带宽为12.8GB/s，但是在展会上的HMC内存则可以提供128GB/s的带宽，而且功耗和体积仅有DDR3内存的10%。
当然，这并不是HMC内存的最终形态。据目前资料显示，HMC内存技术采用的是堆叠封装技术，将多层DRAM和一层逻辑电路共同封装，并采用TSV硅穿孔技术进行互联。其中逻辑电路层起重要作用，其将扮演内存控制器的角色，以超高带宽总线与CPU连接，带宽最高可达DDR3内存的20倍。
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