台积电激进大跳跃：直上20nm工艺

GlobalFoundries在四月初宣布取消32nm工艺，直接采用28nmHKMG工艺。今天台积电放出更为激进的消息：跳过22nm工艺，直接采用更高级的20nm工艺。

目前台积电40nm的良率还不乐观，对AMD和NVIDIA新一代显卡生产造成严重影响，现在更是直接跳过32和22nm工艺，这样显然会给下一代显卡的研发造成影响。

台积电研发部门高级副总裁蒋尚义(Shang-yiChiang)对接近1500多名台积电客户和第三方伙伴表示，跳过22nm而迈向20nm能带来更高的栅极密度和芯片性能，对高级技术设计师提供了一个更切实可行的新平台。台积电22nm工艺将采用增强型高K金属栅极(HKMG)、应变硅、低电阻铜超低K互联等技术。

蒋尚义宣布台积电预计在2012年下半年开始20nm工艺的风险性试产，还表示部分技术条件已达到预期效果：如FinFET器件和高流动性的晶体管器件结构的可行性。

消息来源：[eetimes]