PlaybookLTE展示了高通的持续增长以及RIM与TI的合作关系
当PlaybookLTE被拆解以后，很明显，RIM在半导体合作厂商的选择上和最初版本的Playbook所选的厂商没有多大改变。在新Playbook里面维持关键套接字采用的是TI。PlaybookLET用到TI的OMAP4460，这是最初版本Playbook中的OMAP4430的升级版本。这两个处理器的主要区别就在于OMAP4460将时钟频率提高到1.5GHZ，而不是4430的1.0GHZ，同时4460还有一个更好的3D视频处理功能。和其前任者一样，OMAP4460是一个基于ARMcortex-A9的，45nm工艺的双核处理器。就是这个选择使大众对RIM更加失望，因为大家都会认为RIM会采用四核OMAP5平台的处理器，借此使其与ASUSTransformersPrime，APPLEiPad3(图形处理能力)和最近的SamsungGalaxyNote10.1几款机器达到同一水平。
OMAP4460的拉磨划痕
OMAP4460的模片
TI另一个被采用的关键设计包括再现的WL1283C，单芯片WLANWilink7.0，GPS，蓝牙4.0和FM解决方案，这些在第一版本的Playbook里面也能找到，同样用在第一版本Playbook中的电源管理ICTWL6030，升压转换器TPS63021和各种各样与电源管理相关的IC。
就如RIM转移到一个数据已经准备好的平板一样，一些人想知道TI是否会在其基带元器件和相关的IC方面取得优先地位。令人惊讶的是，高通提高新Playbook的LTE芯片组以及在其他LTE手持设备里面看到的相关IC组合。高通的MDM9200是GSM/W-CDMA/LTE基带处理器。这个处理器与RTR6800接收器和PM8028电源管理芯片连接工作。这些IC在iPhone4S和iPad3里面都能看到。
另外一些关键元器件
在新旧版本Playbook中都出现的IC包括ST的500万像素图像处理器STV0987，Intersil的ISL951电池充电器预计WolfsonMicro的VM8994E音频解码器。
16GB版本的新PlaybookLTE的内存有多个供应商。三星提供46nm工艺的1G低功耗DDR2SDRAM系统内存和带有多芯片内存组件的可用内存。海力士提供SLCNANDFLASH，这是在PlaybookLTE通信模式下使用的。这个SLCFlash是40nm工艺的。
我们在该设备里面发现的一个很有兴趣的一个元器件就是NFC解决模组Secure的SecuReadIC5C633I4。这证明新Playbook已经实现了NFC应用。
总而言之，PlaybookLTE的工程师在半导体、IC和模组的选用方面与最初版本的Playbook差别不大。值得期待的则是看它是否添加了radio，同时LTE的能力能否在过度泛滥的平板市场里掀起大的影响。又或者PlaybookLTE是否会脚踏实地走的很远，能否把产品推销到用户的手上。RIM公司的人期望的答案当然是肯定的。
翻阅一下图片观看拆解过程。
关键元器件清单
基于ARMCortex-A9的双核应用处理器TIOMAP4460
三星46nm工艺的8GbitLPDDR2DRAMK3PE8E800M(1GBDRAM)
Wolfson微电子的WM8994E音频解码器和功率放大器
TI的TWL6030，电源管理/开关模式充电器
三星多芯片记忆组件KLMBG8FEJA-A001，4GBMLCNANDFlash
TI升压型转换器TPS63021
Intersil电池充电器ISL951
飞兆半导体的稳压器FDMC7200
飞兆半导体的P型通道电源MOSFETFDMC510P
TI的升压型转换器TPS63020
ST-Ericsson500玩像素移动图像处理器STV0987
Maxim2.4W立体声D类功放MAX98302
TI4位双电源总线收发器SN74AVCH4T245
Invensense的3轴陀螺仪MPU-3050
飞思卡尔的3轴加速计MMA8450Q
高通的RTR8600，支持GSM/CDMA/W-CDMA/LTE和GPS
Avago的LT/W-CDMABandIV功率放大器模组ACPM-5004
海力士40nm工艺的SLCNANDFlashH27S1G8F2BFB
高通GSM/W-CDMA/LTE基带处理器MDM9200
SP10T天线开关模组RF设备RF8889A
TI的WiLink7.0单芯片WLAN，GPS，蓝牙4.0和FM解决方案WL1283C
超群半导体的WLAN功率放大器和开关TQP6M9002
主板
主板背面
主板的正面
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