正面对抗Intel，GF宣布2014年量产14nm-XM工艺

Intel前几日的IDF会议上表示其14nm工艺进展顺利，预计明年底就会开始应用，2014年大规模量产。另一大晶圆厂商GlobalFoundries也不甘示弱，今天宣布在14nm工艺节点新增XM3D晶体管工艺，同样在2014年量产。

据BSN报道，14nm-XM工艺具体名为XMPDK（eXtremeMobilityProcessDevelopmentKit，超级移动工艺开发套件），同样支持FinFET薄膜晶体管工艺，也就是我们常说的3D晶体管工艺。该工艺预期在2013年早些时候流片，2014年将在GF位于纽约Malta的Fab8晶圆厂开始量产。

以往的工艺升级间隔为2年，14nm-XM工艺与2013年量产的20nm工艺间隔只有一年，这明显是针对Intel同期发布的14nmBroadwell处理器而来。

另外，该工艺将使用14nm的3D晶体管，并混合现有20nm工艺的部分特点。GF公司CTOGreggBartlett声称“我们研发FinFET工艺已经超过10年，因此对于引领FinFET工艺的早日量产我们非常自信，就像我们之前在HKMG工艺上的领先一样”。

GF称他们的14nmFinFET工艺的晶体管间距48nm，这与Intel的14nm3D晶体管是一样的，其他方面的参数及功能也与Intel同期工艺相近或者是一致的，这意味着2014年的SOC芯片竞争会很有趣。

GF公司全球市场与销售部门的执行副总MikeNoonan表示“我们的目标是给用户带来与Intel一样的功耗和性能。”。GF的14nm-XM工艺虽然使用了14nm的FinFET晶体管，但是PDK工艺的风险与20nm工艺没有区别，换句话就是这代工艺有14nm工艺的优点，但是主要基础来源于20nm，用户的制程转换会很容易。

XM工艺优势：同样的电压下20-55%的性能提升

优势二：电池续航时间提升40-60%