重夺工艺王座，英特尔与美光推出20nm制程NAND闪存芯片

日前，英特尔（Intel）与美光（Micron）公司共同宣布推出20nm制程的NAND闪存芯片，重新夺回了NAND闪存制作工艺的王座。

据称，目前双方已经成功研制20nm制程的8GBNANDMLC闪存芯片，芯片面积为118mm2，尺寸可比同容量的25nm制程产品减少约三分之一，性能与寿命方面则基本保持一致。

另外英特尔与美光方面表示，这款新产品目前还处于试样阶段，预计在今年下半年由两者合资的IMFT公司进行量产，主要面向智能手机、平板电脑和固态硬盘等领域。届时还将推出同为20nm制程的16GBNAND闪存芯片，而最终的目标是将芯片容量提升至128GB。