日前,英特尔(Intel)与美光(Micron)公司共同宣布推出20nm制程的NAND闪存芯片,重新夺回了NAND闪存制作工艺的王座。
据称,目前双方已经成功研制20nm制程的8GBNANDMLC闪存芯片,芯片面积为118mm2,尺寸可比同容量的25nm制程产品减少约三分之一,性能与寿命方面则基本保持一致。
另外英特尔与美光方面表示,这款新产品目前还处于试样阶段,预计在今年下半年由两者合资的IMFT公司进行量产,主要面向智能手机、平板电脑和固态硬盘等领域。届时还将推出同为20nm制程的16GBNAND闪存芯片,而最终的目标是将芯片容量提升至128GB。
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