近日，海力士（Hynix）宣布其在韩国清州的300mm晶圆厂正式量产20nm级别的64GbNAND闪存芯片。
海力士表示，与之前生产的32Gb闪存芯片相比，新的64GbNAND闪存芯片容量密度增大一倍，而得益于20nm级别的制作工艺，生产效率相比使用30nm级别的工艺提升了60%，更容易满足新一代储存设备对小体积和大容量的需求。
同时，海力士亦宣布，通过结合以色列Anobit公司的MemorySignalProcessing（MSPTM）技术，已经大大提高了30nm级别32Gb闪存芯片的性能和耐用性，而20nm级别64Gb的闪存芯片将会尽快引入相关技术。
详细信息可浏览海力士官方网站。
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