尽管目前仍是DRAM时代，不过东芝（Toshiba）和海力士（Hynix）已经开始着手为下一代的存储芯片进行准备了。今天两者联合宣布，他们将集合各自的研究人员并展开合作，共同研发MRAM技术的产品。
MRAM的全称是自旋扭矩转换磁性抵抗型随机存储器（Spin-TransferTorqueMagnetoresistanceRandomAccessMemory），其主要利用磁致电阻的变化来表示二进制的0和1，从而实现数据的存储。与现有的DRAM相比，MRAM拥有寿命长、速度快、密度大、功耗低及断电数据不丢失的特性。
这次东芝和海力士的合作主要是希望将MRAM技术产品化，早期的目标是研发MRAM与NAND闪存的混合存储产品，而后期目标则是进军PC内存和硬盘领域。不过虽然两者达成了合作协议，但具体的产品路线图仍未公布。
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