三星宣布开始量产10纳米的128GbTLCNAND闪存芯片。在去年11月时三星才开始生产10纳米的64GbTLCNAND闪存芯片,而现在已经翻倍了。
据Softpedia介绍,新的闪存芯片将会应用于128GB的存储卡,500GB或更高容量的SSD固态硬盘,PCI-E接口的SSD,还有其他方面。
三星表示新芯片使用了ToggleDDR2.0接口,传输速度可以达到400Mbps,而存储密度也是业界最高的。与20纳米的64GbTLC闪存相比,10纳米的128GbTLC闪存产品的生产力可以达到它的两倍。
2010年,三星首次大量生产了20纳米的64GbTLC闪存产品,随后搭载于去年推出的840系列SSD产品。
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