三星电子日前宣布成功开发世界首款45nm工艺的eFlash嵌入式闪存，主要面向各种安全芯片应用，而此前的eFlash工艺主要是80nm，三星的45nm
eFlash不仅速度更快，而且P/E擦写次数可达100万次。
三星电子系统集成电路业务副总金泰勋（TaehoonKim）表示，三星的45nmeFlash可以广泛应用于各种安全解决方案及移动设备中，包括智能卡IC、NFC
IC、eSE嵌入式安全设备及TPM可信赖模块，测试芯片反映出的极高性能将巩固三星在安全IC市场上的领先地位。
通过在闪存cell架构及操作层级的改进，三星的45nmeFlash相比之前的80nmeFlash的随机速度提高了50%，能耗减少25%。更重要的是，45nm
eFlash的可靠性更高，此前业界最好的水平是50万次擦写次数，三星的45nmeFlash的擦写次数可达100万次。
三星预计在2014年下半年开始基于45nmeFlash闪存的产品商业化进程。
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