随着智能手机、平板电脑还有固态硬盘的兴起，业界对NAND闪存的需求量大增。日前，有消息报道，三星（Samsung)将与东芝（Toshiba）通力合作，开发新一代高速NAND闪存，并计划在2011年投入量产。
这款NAND使用ToggleDDR2.0规格内存，传输速度可达400Mbps；另外，公司方面希望20纳米级别的NAND闪存都可支持ToggleDDR2.0规格。
更多消息，可参阅东芝官方网站。
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