据PCWatch报道，东芝株式会社今天正式宣布，他们成功开发了第2代19nm工艺的64GbNAND闪存芯片，并将于本月内开始量产。
东芝之前联合Sandisk于2011年4月成功开发出第1代19nm工艺的nand闪存芯片，而第2代则是通过控制周边电路的方法以及使用MLC芯片，达成仅94mm2、世界最小64GbNAND闪存芯片的目标，而此前的20nm工艺生产出的64GbNAND闪存核心面积约为118mm2，东芝的新闪存核心面积要小得多。
目前东芝正在研发TLCNAND芯片产品，预定在2013年第2季度量产。新产品将搭配新的eMMC控制器，除了智能手机和平板电脑外，使用SSD的笔记本也将受惠。
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