日前，日本尔必达（Elpida）正式宣布业界首款25nm制程DDR3SDRAM内存芯片开发成功，预计在7月份对外发售产品样品并同时进行量产。
25nm制程DDR3SDRAM内存芯片容量为2Gb，工作电压1.5V，规格为DDR3-1866，同时亦可在1.35V的电压下支持DDR3L-1600的工作模式。据尔必达称，比起当前30nm的产品，新制程的采用让DDR3SDRAM内存芯片的储存单位面积下降了30%，工作电流和待机电流分别下降了15%和20%，同时产量上亦有30%的提升。
另外，尔必达还表示将于年底开启25nm4GbDDR3SDRAM内存芯片的量产，相比于现有的30nm4Gb产品，新制程产品的产能将获得44%的提升，而且他们还会将25nm制程应用在移动设备内存芯片当中。
尔必达官方网站
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