满足高速设备需求，三星Toggle DDR 2.0接口闪存芯片投产

日前，三星电子正式宣布，全球首款采用ToggleDDR2.0高速接口的MLCNAND闪存芯片将正式投产。

首批三星新闪存芯片将采用20nm级别的制程工艺，容量为64Gb（8GB）。据称，ToggleDDR2.0接口可以让闪存芯片的读写带宽提升至400Mbps，DDR1.0接口标准仅有133Mbps，而SDRNAND闪存则更低为40Mbps。

三星表示，ToggleDDR2.0接口产品主要应用于高端的智能手机、平板电脑和固态硬盘等设备，凭借其较高的读写带宽可轻松满足SATA6Gbps和USB3.0等高速应用的需求。