年底即可投产,美光宣布DDR4内存模组开发完成

日前美光宣布,他们的DDR4内存模组已经开发完成,可在今年年底开始投产,并在明年正式推出市场。年底即可投产,美光宣布DDR4内存模组开发完成

年底即可投产,美光宣布DDR4内存模组开发完成

美光的DDR4内存模组采用30nm工艺打造,每个模组拥有8片容量为4Gb的DDR4内存芯片,总容量为4GB,可封装成服务器(RDIMM/LRDIMM)、笔记本电脑(SO-DIMM)以及台式机(DIMM)等常用设备的内存,运行频率在2400MHz到3200MHz,符合JEDEC制定的标准。

美光表示,目前JEDEC对DDR4内存标准的制定已经进入最终阶段,很快就会正式公布,因此他们将今年年底开始投产DDR4内存模组,并在明年正式投入市场。只是目前在消费级市场仍然未有支持DDR4内存的设备推出,想要真正普及还需一段很长的时间。

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