工艺的进化，三星20nm制程ARM处理器试验芯片流片成功

日前三星电子正式宣布，他们的20nm制程ARM处理器试验芯片已经流片成功，这让他们的芯片制造工艺向前迈进了一大步。

据三星表示，该试验芯片由ARMCortex-M0处理器核心和ARMArtisan物理IP模块组成，使用自动化电子设计厂商CadenceDesignSystems提供的一体式数字流程RTLtoGDSII制造，不过芯片的晶体管数量和核心面积的数据就没有透露了。

另外三星还表示，20nm制程工艺由第二代后栅极(GateLast)和高K金属栅极(HKMG)技术、第二代超低K电介质材料、第五代应变硅晶圆、193mm沉浸式光刻工艺等多种工艺技术组成，虽然刚刚才完成了流片试验，但他们的20nm设计工具套装已经正式向客户提供，方便客户对下一代工艺的产品进行规划和设计。