工艺的进化,三星20nm制程ARM处理器试验芯片流片成功

日前三星电子正式宣布,他们的20nm制程ARM处理器试验芯片已经流片成功,这让他们的芯片制造工艺向前迈进了一大步。

据三星表示,该试验芯片由ARMCortex-M0处理器核心和ARMArtisan物理IP模块组成,使用自动化电子设计厂商CadenceDesignSystems提供的一体式数字流程RTLtoGDSII制造,不过芯片的晶体管数量和核心面积的数据就没有透露了。

另外三星还表示,20nm制程工艺由第二代后栅极(GateLast)和高K金属栅极(HKMG)技术、第二代超低K电介质材料、第五代应变硅晶圆、193mm沉浸式光刻工艺等多种工艺技术组成,虽然刚刚才完成了流片试验,但他们的20nm设计工具套装已经正式向客户提供,方便客户对下一代工艺的产品进行规划和设计。

工艺的进化,三星20nm制程ARM处理器试验芯片流片成功

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