PCM相变存储技术被视为NAND技术的继任者，美光之前还宣称已经大规模量产了45nm工艺的PCM模块，但是这种未来型的技术到底合适才能出现在我们的生活中呢？
Theregister网站援引EMC高级副总、闪存部门主管扎西德·侯赛因的说法称，2013年将是PCM闪存的新起点，有望见到实际产品出现在市场上。
目前的NAND闪存工艺已经向20nm级别过渡，未来15nm或更高的工艺下NAND的发展就会面临瓶颈，速度会变慢，而ECC纠错则会更加复杂。从目前的20nm闪存工艺来看，速度表现还好，但是P/E写入次数已经降低到1500次量级，未来的15nmMLCNAND或许会低于1000，这都是让人头疼的问题。
PCM相变储存技术
因此我们很快就会面临后NAND闪存时代，新一代闪存技术的储存密度会更高，读写速度更快，甚至可以达到RAM级别，按bit寻址而非目前的block寻址，还会拥有更高的可靠性，实现这些要求是对闪存业界的一次大考。
PCM闪存是一个潜在的可能，三星、美光、IBM、SKHynix等公司都在积极开发PCM储存技术，虽然他们还在研发其他类型的非易失性闪存技术，但是储存专家EMC还是倾向于PCM技术。
EMC高管扎西德·侯赛因对2013年的闪存市场做了分析预测，首先他表示闪存技术已经是目前所有储存体系的基础，几乎无所不在，这一点是没有疑问的。第二，2013年我们会看到PCM闪存带来的骚动，储存业界会加大相关产品的供应，这将为现有存储体系带来低延迟、高速度的新选择，PCM闪存的速度甚至可以接近RAM。
EMC目前正在跟美光合作开发自有的VFCachePCI卡以及代号ThunderBox的VFCache卡，由于美光是PCM技术的支持者，或许EMC的专家此番说法是得到了美光的某些内幕消息。
EMC看起来非常期待PCM存储技术，侯赛因表示明年的PCM业界就会迎来更多投资。
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