日前内存芯片厂商尔必达（Elpida）正式宣布，他们将为40nm级别的DRAM制造工艺引入高K金属栅极（High-KMetalGate，即HKMG）技术，用于开发2Gb的LPDDR2移动平台内存颗粒。
高K金属栅极技术最早出现在英特尔的45nm工艺上，随后被GlobalFoundries、台积电等厂商引入并应用在各自的产品上。不过由于高K金属栅极形成后热处理温度高较高，加上DRAM内存芯片结构的限制，因此该技术一直无法引入至DRAM芯片的生产工艺当中。
在经过尔必达研究团队的努力后，他们成功降低了高K金属栅极的热处理温度，并克服了DRAM芯片结构限制的难题，最终成为业界首家将高K金属栅极技术引入DRAM芯片的厂商。据尔必达表示，新技术的引入将令产品的性能有较大提升，同时待机功耗亦得以大幅下降。
目前尔必达已经在40nm级别的工艺中应用高K金属栅极技术，未来还将对该技术进行评估和改进，争取尽快应用在30nm和25nm工艺上。
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