30nm制作工艺，尔必达4GB SO-DIMM内存供货

昨日，尔必达（Elpida）宣布旗下采用其新开发的30nm制作工艺的4GBDDR3SO-DIMM内存正式对外供货。新的内存模块加入了先进的30nm制作工艺，通过16颗2Gb的DDR3内存颗粒组成，内存的单条容量为4GB。

与尔必达原来采用40nm制作工艺生产的内存相比，新产品的功耗较前者降低了20%，PC平台的功耗也会降低。该环保内存产品可延长笔记本电脑、上网本、平板电脑和其它手持设备的电池使用时间和寿命。

此外，新的内存模块的比特数据传输速率高达1866Mbps，它可支持高性能的计算机设备和管理不断增加的大量高速数据。尔必达方面表示，它们计划在2011年第一季度大量生产容量为4GB的DDR3SO-DIMM内存。

更多关于30nm制作工艺的4GBDDR3SO-DIMM内存的信息，可查阅尔必达官网。