电池结构及制备本文报道电池结构为SnO合背接触层用真空共蒸发法沉积，制备细节参见文2121C-V特性测试使用Agilent公司的4284A半导体特性测试仪测量变频C-V特性，频率为50kHz，1MHz，扫描电2131I-V特性测试使用西安交通大学研制的脉冲氙灯太阳电池I-V特性测试系统测量光I-V特性。使用Agilent公司的4155C半导体特性测试仪测量变温暗I-V特性，电池样品置于中国科学院研制的低温样品室中，测试过程中样品室保持低真空并保持暗态，使用TCK-100温度控制器控温，精度012K，测量温度范围为物理转换效率为1116%的CdTe太阳电池的变频C-V特性。根据曲线计算得到频率为1MHz时CdTe太阳电池的吸收层载流子浓度N-3，空间电荷层宽度X，频率较高时，电池的C-V特性曲线出现了两个峰，在低频下，曲线**个峰的强度明显增强，第二个峰消失。由pn结势垒电容C和扩散电容C与电压的关系对比两式可见，与势垒电容C相比，扩散电容随正向偏压V按指数规律增加，所以在相同的电压下，扩散电容起主要作用。我们知道，扩散电容随频率的增加而减小，所以在图1中，高频（1MHz）时由于扩散电容减小，使得**个峰的强度较低频时要小得多。
模拟得出的曲线基本可以反映测量得到的C-V特性，根据拟和分析时的参数设置，可以进一步理解样品的C-V特性。对CdTe电池，当存在背接触肖特基（Schottky）结时，其I-V，C-V特性等效电路模型，即直流情况下电池的等效电路为两个结反向串联（CdSPCdTe主结和背接触Schottky结），交流情况下电池的等效电路为两个电容串联，每个电容又和一个电阻并联。电流随着电压的增加由负值变为正值。当I为负时，电压主要降落在反向偏置的CdSPCdTe接触结上，使得CdSPCdTe结上的电容随电压的增加而增大，直到电容饱和，此时C-V曲线上出现**个峰。当电压增加到一定值时，I为正值，CdSPCdTe结上形成的二极管正向偏置，背接触上形成的二极管反向偏置，降在背接触二极管上的电压随总电压的增加而增加，使总电容增加，但由于总电容是两个电容串联的形式，即所以C-V特性曲线中，当电压较大时，总电容会随电压的增加而减小，也就是形成第二个峰的原因。
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