闪速存储器具有电可擦除、无需后备电源来保护数据、可在线编程、存储密度高、低功耗、成本较低等特点。而这些特点，正是单片机所期望的，但早期引人片内Flash技术的单片机，在可靠性和稳定性方面仍有一些不足。随着Flash技术的成熟，目前，许多单片机内部集成了Flash存储器。Motorola公司推出片内集成Flash存储器的8位单片机，该单片机的Flash存储器具有以下特点：系列单片机的片内Flash的整体擦除时间可以控制在5ms以内，对单字节的编程时间在40ns以内。片内Flash的存储数据可以保持10年以上，可擦写次数在1万次以上。
⑵单一电源电压供电。一般的Flash存储器，在正常的只读情况下，只需要用户为其提供普通的工作电压即可，而要对其写人（编程），则需要同时提供高于正常工作电压的编程电压。但是，MotorolaM68HC08系列单片机通过在片内集成电荷泵，可由单一工作电压在片内产生出编程电压。这样，可实现单一电源供电的在线编程，而不需要为Flash的编程在目标板上增加多余的硬件模块。正因为Flash的读写电压要求不同，一些公司的内置Fla8h存储器便放弃了在线擦除写人功能，而仅有通过编程器的写人功能。
片机的片内Flash支持在线编程（In-CircuitProgram），允许单片机内部运行的程序去改写Flash存储器内容，这样可以代替外部电可擦除存储芯片，减少外围部件，增加了嵌入式系统开发的方便性。
基于这些特点，掌握M68HC08系列单片机的Flash存储器的编程技术，充分利用M68HC08系列单片机Flash存储器的功能，对基于M68HC08系列单片机的嵌人式系统的开发是十分必要的。Flash存基金项目：苏州大学青年科学基金资助项目（Q3U8012）储器的编程技术相对比较复杂，有一些特殊之处，本文在实际应用基础上，总结MC68HC908GP32单片机的Flash在线编程方法，给出编程实例，分析其中的技术难点。
2MC68HC908GP32闪速存储器在线编程要点2.1闪速存储器的编程寄存器与编程步骤概述有关的寄存器有2个，它们是Flash控制寄存器（FLCR）和Flash块保护寄存器（FLBPRhFLCR高4位未定义，低4位分别为HVEN位一高压允许位的内容为Flash保护区域的起始地址的14~7位，保护区域的起始地址的*高位始终为1，而保护区域的起始地址的低7位（位6~0）始终为0.这两个寄存器的具体含义与用法，在
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