目前服务器和PC领域是DDR3内存标准当道，移动和智能设备平台上则以低功耗的LPDDR2内存主打，不过据PCWatch报道JEDEC已经未雨绸缪，分别制定了DDR4和LPDDR3标准以接替二者的工作。相关的新一代内存技术细节也在日前的ISSCC2012会议上陆续披露。
DDR4：速度翻番，2013年开始应用
主流的DDR3内存速率为1.6Gbps（DDR3-1600），DDR4的目标是速度至少提高一倍，起始速率达到3.2Gbps，最早将会在2013年应用在服务器市场，2014年才能走入PC平台。
其实三星电子已在去年1月4日就制造出了DDR4内存，使用的工艺是30nm，速率为2133Mbps，工作电压1.2V，容量2Gbit。
三星拿出的4Gbit容量DDR4显存工作电压1.2V，依然是3层CMOS30nm制造工艺，未来会采用下一代20nm工艺。
试产的型号实际工作电压1.14V，速率也可以达到3.3Gbps。上图展示的就是三星DDR4内存的核心。
Hynix展出的DDR4内存容量为2Gbit，制程工艺为3层布线的38nm工艺，速率为2.4Gbps，工作电压也是1.2V。
如果将DDR4内存的频率降至DDR3相同的2133Mbps，那么前者的功耗相比DDR3可以降低80%。而且即便电压降至1.0V，速率依然能保持在2.4Gbps左右。
LPDDR3：带宽翻倍，能耗更低
目前在智能设备领域广泛使用的LPDDR2也将会升级到LPDDR3标准，带宽将从3.2GB/s提高到6.4GB/s，频率从400MHz提高到800MHz，同时更加节能，预计在2013年开始推广。
三星展示的LPDDR3内存使用30nm工艺，容量4Gbit，电压1.2V，32bit位宽，速率1.6Gbps，带宽可达6.4GB/s。
三星展示的4GbitLPDDR3内存核心面积为82mm2
85°C高温测试显示降至1.05V下速率依然能维持在800MHz（1600MT/s）
Hynix展示的4GbitDDR3内存核心面积只有30.9mm2，因为它使用的制程工艺为23nm，2层铜布线、1层铝布线。电压也只有1.2V，与超低电压版DDR3U相当，核心工作电压甚至可以低至1.05V。
ISSCC2012会议上的DRAM厂商只有三星和hynix这两家，日系荣光尔必达和美系精英镁光都没有露面，尔必达去年11月虽然宣布了4GbitLPDDR3内存，但是目前自身难保，镁光在DRAM内存上也大不如前，只有大韩民国的两家厂商兄弟之争了。
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