TSMC：2016年推10nm工艺，2017年进军450mm晶圆

由于移动处理器市场需求不断扩大，TSMC台积电的资本投资也在攀升，今年90亿美元的资本开支中有15亿美元投向了R&D研发，不仅提升了现有的28nm产能，2016到2017年见也会进入到10nm及7nm

FinFET工艺，下一代的450mm（18英寸）晶圆工厂也将在2017年启动。

TSMC在2010年的R&D研发费用是10亿美元，2012年的研发费用是13.6亿美元，今年增加到了15亿美元，未来几年还会继续增长。这些费用很大一部分都用于开发未来更先进的16nm、10nm制程工艺，TSMC预计在明年开始生产16nm

FinFET工艺。

根据此前及TSMC日前披露的消息，TSMC今年底将开始小幅试产20nm工艺，CEO张忠谋表示在2014年会开始大规模量产20nm工艺。

目前的主流还是28nm工艺，而且28nm工艺并不会停滞不前，TSMC还在努力扩大相应的产能，预计到今年底将达到（每月）10万片等效300mm晶圆的水平，是2012年产能的三倍之多。

至于450mm晶圆，TSMC在2017年会启动相关的工厂建设工作，但是真正的量产恐怕还得等几年，因为提供关键半导体制造设备的ASML公司预计2018年才会正式量产。