TSMC台积电和UMC联电一度是并驾齐驱的代工厂双雄,不过TSMC这几年的发展速度非常快,业绩已经远远超过了UMC,工艺上也领先后者至少一个节点进度。日前UMC宣布他们也将在14nm工艺节点使用20nm工艺兼容后端工序以加快普及速度。
之所以说也因为之前GlobalFoundries已经做过同样的宣布,他们将在2014年启动的14nm-XM工艺使用的是14nmFinFET晶体管,但是后端工艺(back-end-of-line,简称BEOL)则是20nm兼容的,UMC的作法与之相似。
UMCCEO孙世伟在财务分析会议上宣布了这一消息,他表示:基于IBM的FinFET工艺授权,UMC决定在20nm工艺基础上发展更先进的14nm工艺,通过双重光刻技术(doublepatterninglithography)它能提供最优化的低功耗、高性能解决方案。
虽然还不知道UMC公布的具体细节,但是他们的FinFET工艺都是授权自IBM公司,如今所宣布的内容也是一样,因此具体作法与GF应该是相似的,都是在20nm后端程序上使用14nm刻度的FinFET晶体管而已。
对UMC来说最大的问题是速度,GF将在2014年启用14nm-XM工艺(如果不出意外的话),而UMC的时间进度未知,但是考虑到他们在2014年才会上马28nmHKMG工艺,那么间隔了一个20nm工艺阶段的14nmFinFET工艺的应用时间实在不可预知。
除了20nm及14nm工艺研发之外,UMC未来也会配合客户做一些特别的工艺,比如HV、嵌入式非易失性内存、BSICOMS背照式摄像头、2.5寸中介芯片之类的。
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