UMC宣布将开发20nm后端兼容的14nm FinFET工艺

TSMC台积电和UMC联电一度是并驾齐驱的代工厂双雄，不过TSMC这几年的发展速度非常快，业绩已经远远超过了UMC，工艺上也领先后者至少一个节点进度。日前UMC宣布他们也将在14nm工艺节点使用20nm工艺兼容后端工序以加快普及速度。

之所以说也因为之前GlobalFoundries已经做过同样的宣布，他们将在2014年启动的14nm-XM工艺使用的是14nmFinFET晶体管，但是后端工艺（back-end-of-line,简称BEOL）则是20nm兼容的，UMC的作法与之相似。

UMCCEO孙世伟在财务分析会议上宣布了这一消息，他表示：基于IBM的FinFET工艺授权，UMC决定在20nm工艺基础上发展更先进的14nm工艺，通过双重光刻技术（doublepatterninglithography）它能提供最优化的低功耗、高性能解决方案。

虽然还不知道UMC公布的具体细节，但是他们的FinFET工艺都是授权自IBM公司，如今所宣布的内容也是一样，因此具体作法与GF应该是相似的，都是在20nm后端程序上使用14nm刻度的FinFET晶体管而已。

对UMC来说最大的问题是速度，GF将在2014年启用14nm-XM工艺（如果不出意外的话），而UMC的时间进度未知，但是考虑到他们在2014年才会上马28nmHKMG工艺，那么间隔了一个20nm工艺阶段的14nmFinFET工艺的应用时间实在不可预知。

除了20nm及14nm工艺研发之外，UMC未来也会配合客户做一些特别的工艺，比如HV、嵌入式非易失性内存、BSICOMS背照式摄像头、2.5寸中介芯片之类的。