很多人痛恨TLC，但并不十分拒绝3D闪存，虽然大多数3D闪存实际也是TLC的，这一点可能很多人意想不到。
不过很快大家就不用纠结了，因为MLC时代就要结束了，下代旗舰产品也将由3DTLC主打。下图是ForwardInsight在2015年底时预测的闪存类型未来发展趋势，现在看来MLC被TLC取代的速度要比估计中要快很多，家用固态硬盘当中几乎已经看不到MLC闪存的身影了。
3D闪存是将原有平面闪存在二维空间排列改为纵向多层堆叠，像盖高楼一样提升单位面积硅晶片所能容纳的数据量，目标就是——提升容量，降低成本。
Toshiba即将出货的第三代BiCS闪存单Die容量将达到512Gb，单个封装的闪存颗粒就能实现1TB容量，而现在2D闪存要做到1TB容量普遍需要PCB正反面贴满16颗闪存颗粒才行。
3DTLC闪存比现有平面TLC闪存略高一些，基本可以做到接近MLC的水平。
不过3DTLC和普通平面TLC一样都是需要加强型的LDPC纠错来补偿提升，才能达到MLC闪存只需简单BCH纠错就能达到的耐久度水平。
性能方面，3DTLC比平面TLC有所提升，但总体是不如MLC闪存的写入速度，总体的性能提升更多是靠NVMe协议的帮助。
不过发热量大是NVMe固态硬盘的一大硬伤，现在来看短期内也没有完美搞定的方式。其实SATA接口中也有十分高效的型号，例如ToshibaQ200EX，它是当前少数几个仅存的原厂MLC闪存固态硬盘，却和TLC固态硬盘保持了相同的价位。
很多人认为只有PCIe固态硬盘才有可能在PCMark8储存性能测验当中拿到5000分以上，而ToshibaQ200却依靠Toshiba独有的主控与原厂15nmMLC闪存斩获5007分，和同容量的Intel600pNVMe固态硬盘持平。而论连续写入性能，600p在用光SLC缓存之后远不及ToshibaQ200。
耐久度方面，Q200也保持了MLC闪存的天生优势，在TLC闪存普遍需要LDPC纠错才能维持能看的耐久度时，Q200运用的Toshiba原厂MLC闪存拥有3000PE以上RAW耐久，同时Q200还是MLC闪存固态硬盘当中少有的使用LDPC纠错码的型号。
Toshiba的QSBC纠错是在LDPC纠错基础上增强而来，能取得8倍于传统BCH纠错的效果。不想等MLC彻底消失的话，现在入手Q200应该是最后的机会。
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