STEC宣布CellCare技术可延长24nm MLC NAND闪存寿命

STEC是一家颇具实力的固态硬盘厂商,不过其产品多用在企业级以及军工级领域,因此对普通消费者而言还是颇为陌生的。最近STEC宣布,经过严格的验证,由他们独自研发的CellCare技术确实可以让消费级24nm工艺MLCNAND闪存芯片的擦写次数从3000次增长至原来的13倍,达到40000次的水平。

STEC宣布CellCare技术可延长24nm MLC NAND闪存寿命

STEC方面表示,CellCare技术主要是在闪存管理、信号处理、信号纠错等方面上进行了优化,从而达到延长闪存芯片寿命的功能。按照STEC的闪存部门副总裁PabloZiperovich称,这个技术最大的优势是将让消费级产品也能拥有原本只存在于企业级产品上的优点。

目前STEC正在打造基于CellCare技术和第四代ASIC技术的固态硬盘主控芯片,并对现有成果进行一系列与JEDEC标准有关的测试。据称,在CellCare技术助力下的消费级24nm工艺MLCNAND闪存芯片完全可以满足企业级应用的需求,这对降低企业级固态硬盘产品成本有很大的帮助。

据称,CellCare技术目前已经全面嵌入到STEC旗下基于MLCNAND闪存芯片打造的PCI-E、SAS和SATA固态硬盘产品线中,而采用24nm工艺MLCNAND闪存芯片的固态硬盘产品正在开发当中,预计在年内即可推向市场。

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