(1)二极管。在一个PN结两端各引出一个电极，外加玻璃或塑料的管壳封装即可制成半导体二极管。常用的二极管结构示意图和符号如图3-19所示。
半导体二极管的两个极分别称为阳极和阴极或称为二极管的正极和负极。阳极是从P型半导体一端引出的电极线，阴极是从N型半导体一端引出的电极线。在图3-19所示的二极管的符号中，箭头所指的方向是其正向导通方向。
(2)二极管的伏安特性。二极管的伏安特性，是指通过二极管的电流I与加在二极管两端的电压U之间的关系，可用伏安特性曲线表示，如图3-20所示。
①正向特性。当给二极管加正向电压时，有电流通过二极管。当外加电压很小时，电流也很小，近似为零，称为死区。只有当外加电压增大到大于一定数值后(这个电压数值对硅管约为0.5V，锗管约为0.2V)，电流随电压增大而迅速增大，此时二极管导通。只要电流值不超过规定范围，二极管的正向电压降几乎维持不变，该电压值称为二极管正向压降。在常温下硅管正向压降可视为0.7V,锗管正向压降可视为0.3V.
②反向特性。当给二极管加反向电压时，由于二极管的反向电阻很大，只有极小的电流，小功率硅管小于0.1uA，而锗管为几十微安.当反向电压不超过某一限度时，反向电流的大小几乎与反向电压的高低无关，这一近似不变的电流值称为反向饱和电流。当反向电压超过某一数值时，反向饱和电流将突然增大，此后，二极管的伏安特性非常陡峭，二极管将失去单向导电性能，这种现象称为反向击穿，此时的电压值称为反向击穿电压。二极管被反向击穿后将可能导致永久性损坏。所以在使用二极管时，加在二极管上的反向电压应大大小于其反向击穿电压值，原因正在于此。
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