为了保证传感器的使用寿命和可靠性,通常将传感器中的敏感部分与电学部分隔离开。而隔离的最好材料就是SOI晶片,通过它可将传感器的敏感部分放在二氧化硅介质的一边，有源部分放在其另一边,从而将传感器中的有源部分与敏感部分隔开,同时也与传感器所使用的恶劣环境隔开,所以SOI晶片在制作集成智能传感器中具有极大的优势,另外,SOI晶片中的二氧化硅埋层可作为微加工中的腐蚀终止层,从而简化微机械加工的工艺步骤。
最初的SOI工艺是在非晶衬底(如SiO2)上沉积硅膜,衬底上沉积的硅膜只能是非晶硅或多晶硅,要想获得单曲硅还需要再结晶。这种方法的主要缺点是不能用来制作大面积的SOI晶片。SIMOX(SeparationbyImplantedofOxygen)是目前工业上制造SOI晶片的主要技术,也是最成熟的技术。利用SIMOX可制作10一20cm的晶片,而且唱片上部的0.2μm硅层能够满足LSI电路要求,SiO2埋层在整个晶片中都具有很高的质量。其主要的制作过程是在硅衬底中注和人氧离子,然后进行高温退火。氧离子的注和人剂量为1.8×1018cm-2,远高于普通的注入剂量。在离子注入时,需要温度在500℃左右,以防衬底非晶化,同时严格控制注入剂量,离子束方向和离子能量。
目前除了SIMOX技术之外,工业上还广泛使用SDB技术来制作大面积SOI晶片的方法。
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