单沟道线阵CCD
图12-7所示为三相单沟道线阵CCD的结构图。由图可见,光敏阵列与转移区一一移位寄存器是分开的(移位寄存器被遮挡)。在光积分周期里，这种器件光栅电极电压为高电平,光敏区在光的作用下产生光生电荷存于光敏MOS电容势阱中。
当转移脉冲到来时,线阵光敏阵列势阱中的信号电荷并行转移到CCD移位寄存器中，最后在时钟脉冲的作用下一位位地移出器件,形成视频脉冲信号。
这种结构的CCD的转移次数多、效率低、调制传递函数MTF较差,只适用于像敏单元较少的摄像器件。
双沟道线阵CCD
图12-8所示为双沟道线阵CCD的结构图。这种结构具有两列CCD移位寄存器A与B,分列在像敏阵列的两边。当转移机A与B为高电位(对于N沟器件)时,光积分阵列的信号电荷包同时按箭头方向转移到对应的移位寄存器内,然后在驱动脉冲的作用下分别向右转移,最后以视频信号输出。显然,同样像敏单元的双沟道线阵CCD要比单沟道线阵CCD的转移次数少一半,它的转移效率也大大提高,故一般高于256位的线阵CCD都为双沟道的。
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